BUK9M5R0-40HX 时间：2025/9/14 7:33:30 阅读：10

BUK9M5R0-40HX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于诸如电源转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等多种应用场景。BUK9M5R0-40HX 采用 HVSON 封装（高电压小型外形无引脚封装），具备优良的散热性能和空间利用率，适合在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：150A
　　导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：HVSON 8引脚

特性

BUK9M5R0-40HX 具备多项优异特性，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件采用了先进的 TrenchMOS 工艺技术，实现了更小的芯片尺寸与更高的电流密度，同时保持良好的热稳定性和可靠性。
　　此外，BUK9M5R0-40HX 采用 HVSON 封装，具有出色的热管理能力，能够在高负载条件下维持较低的工作温度，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。该封装还具有较小的封装尺寸，有助于节省 PCB 空间，适用于紧凑型电源设计。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具有较强的抗过压能力，适用于多种栅极驱动电路配置。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体能效。内置的雪崩能量保护功能也增强了器件在高能瞬态条件下的耐用性，适用于严苛的工业和汽车电子环境。

应用

BUK9M5R0-40HX 广泛应用于多种高功率、高效率的电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
　　在服务器和通信设备电源系统中，该器件可作为主开关或同步整流开关，提供高效、稳定的能量转换。在电动汽车和混合动力汽车中，BUK9M5R0-40HX 可用于电池管理系统中的高边或低边开关，实现对电池充放电过程的精确控制。
　　此外，由于其优异的热性能和高电流承载能力，该器件也常用于高功率密度的电源模块和嵌入式系统中，满足对空间和效率有严格要求的设计需求。