类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：9.4A（@ Vgs=10V）
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：37.6A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（@ Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：900pF（@ Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@ Vds=15V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：HVSOF-5

UPA1C272MHD具备出色的导通性能和开关速度，其低导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时仅为8.5mΩ，在Vgs=4.5V时为11mΩ，这显著降低了在大电流应用中的功率损耗，提升了系统的整体效率。这种低Rds(on)特性尤其适用于电池供电设备和高负载开关电路，能够有效减少发热并延长电池续航时间。器件的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在较低的栅极驱动电压下也能可靠开启，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，简化了驱动电路设计。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽型工艺技术，提高了单位面积内的载流能力，同时优化了电场分布，增强了器件的耐压能力和可靠性。其输入电容Ciss为900pF，输出电容Coss为280pF，在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性，减少了开关延迟和能量损耗。反向恢复时间trr为25ns，表明体二极管具有较快的恢复速度，有助于降低在桥式或续流应用中的反向恢复损耗，防止电压尖峰对系统造成干扰。
　　HVSOF-5封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热性能，通过底部暴露焊盘可有效将热量传导至PCB，提升功率密度。器件最大功耗为2.5W，结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业和消费类环境。内置的ESD保护结构提高了器件在装配和运行过程中的抗静电能力，增强了长期使用的稳定性。

UPA1C272MHD广泛应用于多种中低电压功率开关场景。常见用途包括同步整流型DC-DC转换器，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为主开关或同步整流开关，利用其低Rds(on)和快速开关特性提升转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，该器件用于电池管理电路中的充放电控制与负载开关，实现高效能量传输与系统节能。
　　此外，它也适用于LED驱动电源、小型电机驱动电路（如风扇、微型泵）、电源热插拔控制以及各类电源管理模块。在需要紧凑设计和高可靠性的工业控制系统、智能家居设备和物联网终端中，UPA1C272MHD凭借其小封装和高性能表现，成为设计师优选的功率开关元件。其兼容性强，易于与PWM控制器或微处理器直接接口，进一步扩展了其在自动化和智能电子系统中的应用潜力。

[
　　 "SMP1C272MHD",
　　 "UPA1H272MHD",
　　 "RB052N03",
　　 "DMG2307U",
　　 "AO3400"
　　]