类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：8-DFN

FDS8934_NL采用先进的Trench MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。其双N沟道结构设计使其适用于同步整流和双向负载开关等场景。
　　该器件支持高达±20V的栅极电压，增强了抗干扰能力和工作稳定性。此外，FDS8934_NL在4.5V和10V栅极驱动电压下均能保持较低的RDS(on)，使其兼容多种驱动电路，包括3.3V和5V系统。
　　由于采用DFN封装，FDS8934_NL具有优异的热管理性能，适合在高电流工作条件下使用，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于高频电源转换器应用。其低阈值电压和高跨导特性确保了快速响应和稳定的控制性能。

FDS8934_NL广泛应用于便携式电子设备、笔记本电脑、移动电源、服务器电源系统、负载开关控制、DC-DC转换器、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。
　　在电源管理模块中，FDS8934_NL可作为高效同步整流器使用，提高转换效率。在负载开关设计中，它能够有效控制电源分配并减少静态功耗。
　　此外，该器件也适用于需要双向电流控制的H桥电路和USB PD电源管理应用。

Si3442CDV-T1-E3, FDS8942N, FDS8954N, AO4406