时间：2025/9/1 11:10:22
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HY628400ALLG-55DR 是由 Hynix（现为 SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问和非易失性数据存储等特点。该SRAM芯片封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于工业控制、嵌入式系统、网络设备以及通信设备等多种应用场景。HY628400ALLG-55DR 的容量为256K x 16位，工作电压为3.3V，支持异步读写操作，适用于需要快速数据存取的场合。
容量：256K x 16位
电压：3.3V
访问时间：55ns
封装：TSOP-II
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
组织结构：x16
引脚数：54
最大工作频率：约18MHz
电流消耗（典型值）：100mA（待机模式下小于10mA）
HY628400ALLG-55DR 是一款高性能的异步SRAM芯片，采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗与高速访问的双重优势。其主要特性包括高速访问时间为55纳秒，这意味着它可以在18MHz的频率下稳定运行，适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片的电源电压为3.3V，符合现代低电压系统设计趋势，同时在待机模式下功耗极低，适合电池供电或低功耗应用。此外，其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。芯片支持异步读写操作，无需时钟同步即可完成数据访问，简化了系统设计。工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）确保其在各种恶劣环境下仍能稳定运行。
HY628400ALLG-55DR 主要应用于对存储容量和访问速度有一定要求的嵌入式系统和工业控制设备。例如，它可以作为高速缓存用于网络路由器和交换机中的数据暂存，提高数据转发效率。在工业自动化控制领域，该芯片可用于存储PLC（可编程逻辑控制器）的临时运行数据和程序变量。此外，在通信设备中，如基站和无线接入点，HY628400ALLG-55DR 可用作缓冲存储器，支持快速数据交换和处理。由于其低功耗和宽温特性，也适用于便携式设备、医疗监测仪器以及智能仪表等对可靠性要求较高的场合。
IS61LV25616-55BLL、CY7C1041CV33-55BZC、A628400ALLG-55DR
