时间：2025/10/7 3:58:12
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UPA1A332MHD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽结构和场板技术设计，专为高效率、低导通损耗的电源应用而优化。该器件主要面向DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及电池供电设备等中低功率应用场景。UPA1A332MHD以其出色的热稳定性和高频开关性能，在消费类电子产品、工业控制模块及便携式设备中得到广泛应用。其封装形式为HVSOF-8（带散热焊盘），具有较小的占位面积，适合高密度PCB布局。此外，该MOSFET在设计上兼顾了电气性能与可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足严苛的工业环境要求。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电（ESD）能力，提升了系统整体的耐用性与安全性。通过优化栅极电荷和输出电容，UPA1A332MHD实现了快速开关响应，从而降低动态损耗，提高电源系统的整体能效。
型号：UPA1A332MHD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：16A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：64A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：7.0mΩ（@ VGS=10V, ID=8A）
导通电阻（RDS(on)）：9.0mΩ（@ VGS=4.5V, ID=8A）
栅极电荷（Qg）：27nC（@ VGS=10V）
输入电容（Ciss）：1370pF（@ VDS=15V）
反向恢复时间（trr）：27ns
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：HVSOF-8
UPA1A332MHD采用了罗姆专有的Trench MOSFET工艺，结合场板结构设计，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了电流处理能力和整体效率。该器件的关键特性之一是其极低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为7.0mΩ，确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热，延长系统寿命。同时，在VGS=4.5V的低压驱动条件下，RDS(on)也仅达到9.0mΩ，使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由微控制器或PWM控制器直接控制的同步整流电路。这种低门槛驱动能力大大简化了外围驱动电路的设计，降低了系统成本。
该MOSFET具有优异的开关特性，其栅极电荷Qg低至27nC，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并支持更高的工作频率。低输入电容Ciss（1370pF）进一步增强了高频响应能力，适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑，如Buck、Boost和同步整流结构。此外，其较短的反向恢复时间trr（27ns）有效抑制了体二极管在反向恢复过程中产生的尖峰电流和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。
HVSOF-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还集成了底部散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至地层或散热层，实现良好的热管理。这一特性使得UPA1A332MHD即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严酷环境下的长期运行需求。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和抗静电放电（ESD）性能，增强了在瞬态过压和恶劣工况下的鲁棒性。总体而言，UPA1A332MHD是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热性能有严格要求的现代电子系统。
UPA1A332MHD广泛应用于多种需要高效功率切换的电子系统中。其典型应用场景包括但不限于：各类开关模式电源（SMPS），特别是用于笔记本电脑、显示器和小型家电中的AC-DC适配器；在DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中作为主开关或同步整流器使用，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率；在电池供电的便携式设备（如移动电源、手持仪器、无人机电源模块）中用于电源管理单元，延长续航时间；在电机驱动电路中作为H桥或半桥结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的启停与方向；在LED照明驱动电源中实现恒流调节和高效能量转换；此外，还可用于热插拔控制器、负载开关、OR-ing二极管替代以及服务器和通信设备中的分布式电源架构。得益于其HVSOF-8小尺寸封装和优良的散热性能，该器件特别适合高集成度、紧凑型电子产品设计。
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