时间：2025/8/18 19:38:22
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CXK582000M-10LL是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），专为需要快速数据访问的应用设计。该芯片通常采用标准的TSOP封装形式，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及其他需要高速缓存或临时数据存储的场景。该器件无需刷新操作，相较于动态RAM（DRAM），其访问速度更快且功耗更低。
容量：256K x 8位
电源电压：3.3V 或 5V（根据具体版本）
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：异步SRAM接口
最大工作频率：100MHz
功耗：典型值为100mA（待机模式下电流更低）
数据保持电压：最低1.5V
封装引脚数：52引脚
CXK582000M-10LL具备高速访问能力，其10ns的访问时间使其适用于需要快速数据读写的系统。该芯片采用异步设计，兼容多种控制器接口，简化了系统集成过程。此外，该SRAM芯片具备低待机电流特性，有助于降低系统整体功耗，适用于对能效有要求的应用场景。其宽广的工作温度范围确保了在各种工业环境下的稳定运行。芯片内部结构采用高性能CMOS技术，提供可靠的数据保持能力，即使在低电压条件下也能保持数据完整性。
此外，该芯片具有较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。其TSOP封装有助于减少PCB布局中的空间占用，并提供良好的散热性能，适合高密度设计需求。由于其良好的兼容性和稳定性，CXK582000M-10LL广泛应用于网络设备、测试仪器、自动化控制系统和便携式电子设备等领域。
CXK582000M-10LL适用于需要高速存储和快速访问的系统，如工业控制主板、通信路由器和交换机、数据采集设备、嵌入式系统缓存、医疗仪器、视频处理设备以及各种便携式电子产品。由于其异步接口特性和宽温工作能力，特别适合用于对存储器响应速度和稳定性有较高要求的工业及通信领域。
CY7C199-10VC、IDT71V016S、IS61LV25616A、AS7C3256-10TC、MB84V0002-10
