时间：2025/10/7 8:21:41
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UPA1A152MPD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块和电池供电设备中。该器件采用小型表面贴装封装（如S-Mini或HVSOF），适合高密度PCB布局，同时具备优良的热性能和电气特性。UPA1A152MPD针对低电压、大电流开关场景进行了优化，在便携式电子产品中表现出色。其设计兼顾了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，有助于提高整体系统效率并降低功耗。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。器件具有良好的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了在复杂电磁环境下的工作可靠性。由于其优异的动态响应特性和快速开关能力，UPA1A152MPD常被用于同步整流、负载开关以及电机驱动等关键电路中。
型号：UPA1A152MPD
制造商：Rohm Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大连续漏极电流（ID）：8.5A
最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：24A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：15mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：20mΩ
阈值电压（Vth）：典型值1.2V，范围1.0～1.6V
总栅极电荷（Qg）：典型值12nC @ VDS=15V, ID=8.5A
输入电容（Ciss）：典型值520pF @ VDS=15V
输出电容（Coss）：典型值190pF @ VDS=15V
反向恢复时间（trr）：典型值22ns
功耗（Ptot）：2.5W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：HVSOF
UPA1A152MPD具备多项高性能特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用中能有效减少发热，提升系统能效。在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为15mΩ，而在4.5V驱动电压下仍保持20mΩ的低阻值，这使得它不仅兼容标准逻辑电平驱动信号，也能在电池供电设备中直接由3.3V或5V控制器驱动，无需额外电平转换电路。
其次，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减少了开关损耗，提高了电源转换效率。这对于DC-DC降压变换器、同步整流器等高频拓扑结构尤为重要。同时，快速的开关速度配合短小的反向恢复时间（trr=22ns），可有效抑制体二极管反向恢复带来的电流尖峰，降低EMI干扰，增强系统的稳定性。
再者，UPA1A152MPD采用了先进的沟槽式硅工艺技术，提升了单位面积的载流能力，并通过优化芯片结构改善了热分布均匀性。其HVSOF封装具有较小的占位面积和良好的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB接地层高效散热，确保长时间高负载运行下的可靠性。
此外，器件内置的体二极管具有较高的反向耐压和较快的恢复特性，适用于需要续流功能的应用场景。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使该MOSFET能够在极端环境下稳定工作，满足工业级和汽车电子的部分要求。综合来看，UPA1A152MPD在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中的理想选择。
UPA1A152MPD广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。其主要用途包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）拓扑中作为下管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率；便携式电子设备的电源管理系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的负载开关或电池保护电路，得益于其小型化封装和低静态功耗优势；电机驱动电路中用于控制直流电机或步进电机的通断，凭借其高电流承载能力和快速响应表现良好；LED背光驱动和恒流源设计中作为开关元件，实现精准调光控制；此外，在UPS不间断电源、充电器模块、无线充电发射端以及各类嵌入式控制系统中也有广泛应用。由于其具备较强的抗扰能力和热稳定性，该器件也适用于部分工业自动化设备和车载电子辅助电源系统。无论是在消费类还是工业类应用中，UPA1A152MPD都能提供高效、可靠的功率切换解决方案。
UPA1H151MPD
SiSS071DN-T1-GE3
AON6240
