KDZ36B 时间：2025/12/25 12:12:07 阅读：13

KDZ36B是一种齐纳二极管，通常用于电压参考和稳压应用。该器件由罗姆（ROHM）公司生产，属于其高精度齐纳二极管系列之一。KDZ36B采用小型表面贴装封装（如SOD-123），适合在空间受限的印刷电路板设计中使用。其标称齐纳电压为3.6V，在规定的测试电流下具有较低的动态阻抗和良好的电压稳定性。这种二极管在正向导通时表现类似于普通硅二极管，而在反向击穿区则表现出稳定的齐纳效应，能够提供精确的参考电压。由于采用了先进的半导体工艺，KDZ36B具备良好的温度稳定性和长期可靠性，适用于多种模拟和数字电路中的偏置、保护及电平箝位功能。
　　KDZ36B的工作原理基于PN结的反向击穿特性。当施加的反向电压达到其齐纳电压时，器件进入击穿状态，此时电流可在较大范围内变化而电压保持相对恒定。这一特性使其成为构建简单稳压电路的理想选择，尤其是在低功耗系统中。此外，该器件还具备较快的响应速度，能够在瞬态电压波动期间迅速调节输出电压，从而保护后续电路免受过压影响。

参数

类型：齐纳二极管
　　功率：500mW
　　标称齐纳电压：3.6V
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：35Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SOD-123

特性

KDZ36B具备出色的电压调节性能，其核心优势在于高精度和低动态阻抗。在标准测试条件下，该器件的齐纳电压容差控制在±2%以内，确保了在各种工作环境下都能提供稳定的参考电压。这种精度水平对于需要精确偏置电压或作为ADC/DAC参考源的应用至关重要。此外，其低动态阻抗（典型值为35Ω）意味着即使负载电流发生显著变化，输出电压仍能保持高度稳定，有效减少因电源波动引起的信号失真。
　　该器件采用SOD-123小型封装，不仅节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量快速散发到周围环境中。尽管额定功率为500mW，但在适当的散热设计下，KDZ36B可在较宽的环境温度范围内可靠运行。其工作温度范围从-55°C至+150°C，使其适用于工业控制、汽车电子等对温度适应性要求较高的场合。
　　KDZ36B还表现出优异的温度系数特性。在其工作温度区间内，电压漂移较小，避免了因温升导致的参考电压偏移问题。这对于长时间连续运行的设备尤为重要，例如传感器信号调理电路或电源监控模块。此外，该器件具有较低的噪声水平，在高频应用中不会引入明显的干扰成分，提升了整体系统的信噪比。
　　制造工艺方面，KDZ36B采用先进的扩散技术和严格的筛选流程，保证了批次间的一致性和长期使用的可靠性。其反向漏电流极低（通常小于1μA @ VR=1V），减少了待机状态下的功耗损失，特别适合电池供电或节能型设计。同时，该器件具备一定的浪涌承受能力，能在短时间内应对瞬态过压事件，增强了系统的鲁棒性。

应用

KDZ36B广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。常见用途包括低压稳压电路，特别是在输入电压波动较大的环境中，利用其齐纳击穿特性实现输出电压的钳位与调节。它常被用作运算放大器、比较器或其他模拟IC的偏置电压源，以确保这些器件在最佳工作点运行，提升信号处理精度。
　　在电源管理领域，KDZ36B可用于构建简单的线性稳压器或作为反馈回路中的电压采样元件。配合晶体管或MOSFET使用时，可构成低成本的串联或并联稳压结构，适用于小功率DC-DC转换器或LDO辅助电路。此外，它也可用于过压保护电路中，当检测到异常高压时触发保护机制，防止下游敏感元件受损。
　　在数字系统中，KDZ36B可用于电平转换和噪声抑制，例如在微控制器I/O引脚上设置钳位电压，防止静电放电（ESD）或感应电压造成损坏。它也常出现在传感器接口电路中，为桥式传感器或热敏电阻网络提供稳定的激励电压，从而提高测量准确性。
　　汽车电子是另一个重要应用领域。KDZ36B可用于车载ECU、灯光控制模块或电池管理系统中，作为基准电压源或状态指示电路的一部分。其宽温度范围和高可靠性满足了汽车行业严苛的环境要求。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件因其小型化和低功耗特性而受到青睐，用于内部电压监测或充电管理单元中。