时间：2025/12/27 8:47:11
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UN1518L-AE3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的N沟道增强型硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件结合了氮化镓材料的高性能与成熟硅基工艺的优势，提供卓越的开关速度、更高的效率以及更小的封装尺寸，适用于高频、高效率的电源转换应用。UN1518L-AE3-R采用先进的封装技术，具备低寄生参数，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI），特别适合用于软开关拓扑结构如图腾柱PFC、LLC谐振转换器、有源钳位反激式（ACF）等。该器件无需负压关断，简化了栅极驱动设计，并具备良好的抗dV/dt能力，提高了系统可靠性。其额定电压为650V，连续漏极电流可达18A，适合在消费电子、数据中心电源、工业电源、可再生能源逆变器等领域中使用。产品采用卷带包装（tape and reel），符合RoHS环保标准，支持自动化贴片生产。
型号：UN1518L-AE3-R
类型：N沟道增强型GaN HEMT
材料：GaN-on-Si
击穿电压（V_BDS）：650V
阈值电压（Vth）：典型值2.2V，范围1.8V~2.6V
连续漏极电流（ID）：18A（TC=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：72A
最大导通电阻（RDS(on)）：150mΩ
栅源电压（VGS）：-10V ~ +7V
最大漏源电压（VDSS）：650V
输入电容（Ciss）：典型值450pF @ VDS=50V, VGS=0V
输出电容（Coss）：典型值110pF @ VDS=50V, VGS=0V
反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
封装形式：DFN8x8（热增强型）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：8
极性：单N沟道
关断延迟时间（td(off)）：典型值15ns
栅极电荷（Qg）：典型值20nC @ VGS=5V
UN1518L-AE3-R的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料的物理特性，相较于传统的硅基MOSFET，具有显著更低的导通电阻与开关电荷乘积（RDS(on) × Qg），这意味着在相同功率等级下，器件能够实现更高的能效和功率密度。其150mΩ的低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，而极低的输入和输出电容则大幅降低了开关过程中的能量损耗，尤其在高频开关应用中表现突出。由于GaN HEMT本身不具备传统PN结体二极管，因此不存在反向恢复电荷（Qrr = 0），彻底消除了因二极管反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰问题，这对于提高系统可靠性和降低EMI滤波成本至关重要。
该器件为增强型（E-mode）设计，即在零栅极电压下处于关断状态，符合用户对安全启动和简化驱动电路的需求。它仅需+5V至+7V的正栅压即可完全导通，无需复杂的负压关断电路，兼容标准逻辑电平的驱动IC，显著降低了驱动电路的设计复杂度和成本。其DFN8x8封装采用底部散热焊盘设计，热阻低，有利于热量快速传导至PCB，提升器件在高负载下的热稳定性。此外，封装优化减少了引线电感，抑制了开关过程中的电压振铃现象，增强了系统的电磁兼容性。
UN1518L-AE3-R具备出色的动态性能，开关速度极快，关断延迟时间仅为15ns左右，使其非常适合工作在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下。这种高速开关能力使得电源系统可以采用更小的磁性元件和电容，从而减小整体体积和重量，满足现代电子产品对小型化和轻量化的追求。同时，器件具有良好的抗dV/dt噪声能力，在高dv/dt环境下仍能保持稳定工作，避免误触发。其宽泛的工作结温范围（-40°C至+150°C）也保证了在严苛环境下的长期可靠性。
UN1518L-AE3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子变换系统中。典型应用场景包括服务器和通信电源中的高效DC-DC转换器，尤其是采用图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）拓扑的前端整流电路，利用其零反向恢复特性大幅提升功率因数并降低损耗。在适配器和充电器领域，特别是超薄笔记本电脑、手机快充等高功率密度需求的产品中，该器件可用于有源钳位反激（ACF）或LLC谐振转换器，实现95%以上的系统效率。此外，在太阳能微型逆变器、储能系统和电动汽车车载充电机（OBC）中，UN1518L-AE3-R凭借其高频能力和高可靠性，被用于DC-AC逆变或DC-DC升压/降压环节，帮助系统提升整体能效并缩小体积。工业电机驱动、UPS不间断电源以及高端LED驱动电源也是其重要应用方向。得益于其表面贴装封装和卷带包装形式，该器件非常适合自动化批量生产，适用于大规模商用电源模块制造。
UN1518L, UCC5870-Q1, GS-065B151DA
