GA0805A101GBBBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率和高功率密度的应用场景设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构,具备低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势,广泛应用于电源管理、通信设备和工业驱动等领域。
其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产,并且具有良好的散热性能,能够显著提升系统整体效率。
型号:GA0805A101GBBBR31G
类型:GaN 功率晶体管
Vds(漏源电压):650 V
Rds(on)(导通电阻):100 mΩ
Id(连续漏极电流):8 A
Qg(栅极电荷):25 nC
Ciss(输入电容):1450 pF
Coss(输出电容):95 pF
Eoss(输出电荷能量):11 nJ
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.5 V to 3 V
工作温度范围:-55°C to 175°C
1. 高效的开关性能:得益于氮化镓材料的独特属性,GA0805A101GBBBR31G 的开关速度远高于传统硅基 MOSFET,从而降低开关损耗并提高效率。
2. 超低导通电阻:其 Rds(on) 值仅为 100 毫欧,大幅减少导通状态下的功耗。
3. 快速动态响应:极小的 Qg 和 Coss 参数使得器件在高频工作条件下表现优异。
4. 高可靠性:经过严格的测试流程,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
5. 紧凑的封装设计:表贴封装不仅节省空间,还便于大规模制造和装配。
6. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 175°C 的极端条件,适应多种应用环境。
1. 开关电源(SMPS):
适用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器,提供更高效的功率传输。
2. 充电器与适配器:
用于快充技术,实现更高的充电速度和更低的发热。
3. 无线电力传输:
在谐振电路中作为关键组件,优化能量传递效率。
4. 工业电机驱动:
满足高性能电机控制需求,提供精确的速度和扭矩调节。
5. 通信基础设施:
如基站功率放大器,提升信号质量和覆盖范围。
6. 光伏逆变器:
通过高频开关能力增加太阳能转换效率。
GA0805A101GBBBR21G
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