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GA0805A101GBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:28:01 查看 阅读:4

GA0805A101GBBBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率和高功率密度的应用场景设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构,具备低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势,广泛应用于电源管理、通信设备和工业驱动等领域。
  其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产,并且具有良好的散热性能,能够显著提升系统整体效率。

参数

型号:GA0805A101GBBBR31G
  类型:GaN 功率晶体管
  Vds(漏源电压):650 V
  Rds(on)(导通电阻):100 mΩ
  Id(连续漏极电流):8 A
  Qg(栅极电荷):25 nC
  Ciss(输入电容):1450 pF
  Coss(输出电容):95 pF
  Eoss(输出电荷能量):11 nJ
  Vgs(th)(栅极阈值电压):1.5 V to 3 V
  工作温度范围:-55°C to 175°C

特性

1. 高效的开关性能:得益于氮化镓材料的独特属性,GA0805A101GBBBR31G 的开关速度远高于传统硅基 MOSFET,从而降低开关损耗并提高效率。
  2. 超低导通电阻:其 Rds(on) 值仅为 100 毫欧,大幅减少导通状态下的功耗。
  3. 快速动态响应:极小的 Qg 和 Coss 参数使得器件在高频工作条件下表现优异。
  4. 高可靠性:经过严格的测试流程,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
  5. 紧凑的封装设计:表贴封装不仅节省空间,还便于大规模制造和装配。
  6. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 175°C 的极端条件,适应多种应用环境。

应用

1. 开关电源(SMPS):
  适用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器,提供更高效的功率传输。
  2. 充电器与适配器:
  用于快充技术,实现更高的充电速度和更低的发热。
  3. 无线电力传输:
  在谐振电路中作为关键组件,优化能量传递效率。
  4. 工业电机驱动:
  满足高性能电机控制需求,提供精确的速度和扭矩调节。
  5. 通信基础设施:
  如基站功率放大器,提升信号质量和覆盖范围。
  6. 光伏逆变器:
  通过高频开关能力增加太阳能转换效率。

替代型号

GA0805A101GBBBR21G
  GA0805A101GBBBR41G

GA0805A101GBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-