时间：2025/6/21 3:16:36
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IRF730A 是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），属于IR公司推出的IRF730系列，主要应用于需要高电压、低功耗特性的电路中。该器件采用TO-247封装形式，具备优异的开关性能和较低的导通电阻特性。其典型应用包括电源开关、逆变器、电机驱动等场景。
最大漏源电压：500V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：7A
脉冲漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：8.5Ω
输入电容：160pF
输出电容：95pF
反向传输电容：5pF
总功耗：115W
工作结温范围：-65℃ to +175℃
IRF730A 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，其导通电阻仅为8.5Ω，从而减少了功率损耗。
3. 快速开关能力：具有较低的输入电容和输出电容值，保证了较快的开关速度。
4. 宽工作温度范围：支持从-65℃到+175℃的工作结温，适应极端环境需求。
5. 封装坚固耐用：采用TO-247封装形式，散热性能优越，机械强度高。
6. 稳定性强：在高频开关电路中表现出良好的稳定性。
IRF730A 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能开关电源设计，提供稳定可靠的电力转换。
2. 逆变器：适用于太阳能逆变器和其他工业逆变器应用。
3. 电机驱动：在电机控制电路中用作功率开关。
4. 脉冲发生器：由于其快速开关性能，适合用于各种脉冲生成设备。
5. 工业控制：可用于各类工业自动化控制系统中的功率级开关元件。
IRF730, IRF730B
