时间：2025/11/8 7:14:36
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UMZ6.8EN是一种表面贴装齐纳二极管，设计用于提供稳定的参考电压或进行电路中的电压箝位保护。该器件采用SOD-323小型化封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。齐纳二极管在反向击穿区域工作时能够维持一个相对恒定的电压，这一特性使其广泛应用于电源管理、信号调理以及过压保护等场景。UMZ6.8EN的标称齐纳电压为6.8V，在规定的测试电流下具有较小的动态阻抗和温度系数，确保了输出电压的稳定性。由于其低功耗特性和快速响应能力，该器件非常适合用于便携式电子设备和低电压系统中。
该产品由多家半导体制造商生产，如NXP、ON Semiconductor、Diodes Incorporated等，尽管不同厂家可能存在细微差异，但整体电气性能和封装尺寸保持一致，符合行业标准。UMZ6.8EN的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在长时间运行条件下保持性能不变。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-323
标称齐纳电压：6.8V
容差：±5%
最大耗散功率：200mW
测试电流（IZT）：5mA
最大反向漏电流：1μA（VR = 4.5V）
动态阻抗（Zzt）：20Ω（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
UMZ6.8EN齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的电压调节能力。在正常工作条件下，当施加的反向电压达到其标称齐纳电压6.8V时，器件进入击穿区并维持一个几乎恒定的电压水平，即使电流在一定范围内变化，电压波动也非常小。这种稳压行为得益于其内部PN结的齐纳击穿机制，在低电压段（通常低于8V）以齐纳效应为主导，表现出较低的动态阻抗和较好的线性度。该器件的动态阻抗典型值为20Ω，这意味着在负载电流发生变化时，输出电压的变化幅度非常有限，从而保证了电路工作的稳定性。
另一个重要特性是其优异的温度稳定性。UMZ6.8V的温度系数接近于零点附近，这使得它在宽温度范围内仍能保持较高的电压精度。对于需要长期运行或暴露在极端温度环境下的应用（如工业控制、汽车电子），这一点尤为重要。此外，SOD-323封装不仅体积小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，有助于将功耗产生的热量有效传导至PCB，防止局部过热导致性能下降或损坏。
UMZ6.8EN还具有低漏电流特性，在未达到击穿电压前，反向漏电流极低（典型值小于1μA），减少了待机状态下的能耗，特别适用于电池供电设备。同时，该器件响应速度快，能在瞬态过压事件中迅速导通，将多余能量泄放到地，保护后续敏感元件。其高可靠性和长寿命也使其成为消费电子、通信模块、传感器接口和电源监控电路中的理想选择。
UMZ6.8EN广泛应用于各类需要精密电压参考或过压保护的电子系统中。在电源管理电路中，常被用作低压直流稳压源，特别是在没有专用稳压IC的小功率应用中，可通过限流电阻与齐纳二极管组合实现简单高效的稳压功能。例如，在微控制器的复位电路或基准电压生成中，UMZ6.8EN可提供稳定的6.8V参考电平，确保系统启动过程的可靠性。
在信号调理电路中，该器件可用于钳位输入信号的电压范围，防止过高或过低的信号损坏后级集成电路。例如，在模拟前端设计中，将UMZ6.8EN连接在信号线与地之间，可以限制正向电压不超过6.8V，从而保护ADC或运算放大器输入端。此外，它也可用于ESD（静电放电）防护和瞬态电压抑制，在通信接口（如I2C、UART）中起到初级保护作用。
在传感器模块中，许多传感器需要稳定的偏置电压或参考电压，UMZ6.8EN可作为低成本解决方案提供所需的电压基准。在汽车电子领域，因其宽工作温度范围和高可靠性，可用于车身控制模块、车载监控单元等环境中。此外，该器件也常见于消费类电子产品，如智能手机、可穿戴设备、智能家居控制器等，用于电源轨监控、按键去抖电路或LED驱动限压等场景。
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"MMBZ5237BLT1G",
"BZT52C6V8",
"SZMMSZ6.8T1G",
"PMEZ6.8",
"ZMM6V8"
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