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2SK2247 发布时间 时间:2025/5/8 19:39:46 查看 阅读:5

2SK2247是一种N沟道MOSFET晶体管,主要应用于高频放大器和振荡器电路。它属于场效应晶体管类别,具有高增益和低噪声的特点,非常适合射频(RF)应用。该器件由松下公司(现为Panasonic)开发,广泛用于业余无线电设备、短波接收机和其他高性能射频电路中。
  2SK2247的设计使其能够在高频条件下保持良好的稳定性,同时提供较高的跨导值,从而实现优异的信号放大性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):16mA
  输入电容(Ciss):5pF
  跨导(Gfs):1800μS
  工作频率:高达1GHz
  封装形式:TO-56金属罐封装

特性

2SK2247以其卓越的高频性能而著称,以下是其主要特性:
  1. 高跨导值(1800μS),能够实现较大的信号增益。
  2. 极低的输入电容(5pF),有助于减少寄生电容对高频性能的影响。
  3. 稳定的工作性能,即使在高频环境下也能保持良好的线性度。
  4. 具有较低的噪声系数,特别适合用作低噪声放大器(LNA)。
  5. TO-56金属罐封装提供良好的屏蔽效果,可减少外部干扰对电路的影响。
  这些特性使得2SK2247成为射频和微波电路设计中的理想选择,尤其是在需要高增益和低噪声的应用场景中。

应用

2SK2247的主要应用场景包括:
  1. 射频放大器:特别是在业余无线电设备中作为前置放大器使用。
  2. 振荡器电路:利用其高跨导值实现稳定的高频振荡。
  3. 混频器:由于其良好的线性度,适用于混频器电路。
  4. 短波接收机:用于信号放大部分,以提高接收灵敏度。
  5. 其他高性能射频电路:如测试设备和通信系统中的关键组件。
  由于其出色的高频特性和低噪声性能,2SK2247在上述领域得到了广泛的认可和应用。

替代型号

2SK2248, 2SK2249

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