PMPB10XNEZ 时间：2025/9/14 14:51:11 阅读：20

PMPB10XNEZ是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种功率管理与转换电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源转换、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.8A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.05Ω（在Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

PMPB10XNEZ具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，从而减少热量产生并提高整体系统可靠性。
　　其次，该MOSFET具备较高的栅极耐压能力（±20V），允许在较宽的驱动电压范围内工作，增强了其在不同应用中的兼容性。
　　此外，PMPB10XNEZ采用了先进的封装技术，如TO-220和D2PAK，具备良好的热管理性能，能够在高功率应用中有效散热，延长器件寿命。
　　该器件的开关速度快，能够实现高频操作，适用于需要高效率和高频率切换的应用场景，如DC-DC转换器、同步整流和电机控制等。
　　其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也使其适用于工业级和汽车级应用环境，具备良好的环境适应性。
　　最后，PMPB10XNEZ符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

应用

PMPB10XNEZ常用于各种功率电子系统中。典型应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）等。
　　在电源管理应用中，它可用于高效率的功率转换，实现能量的有效利用。
　　在工业控制和自动化设备中，该器件可用于电机驱动和继电器替代，提高系统的响应速度和稳定性。
　　在汽车电子领域，PMPB10XNEZ适用于车载充电系统、车身控制模块和辅助电源系统等场景。
　　此外，它也适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用。
　　由于其良好的热管理和高可靠性，PMPB10XNEZ也常用于LED照明驱动、工业自动化和通信设备等对稳定性要求较高的场合。