类型：NPN
　　集电极-发射极电压(VCEO)：80V
　　集电极电流(IC)：100mA
　　功率耗散(PD)：200mW
　　直流电流增益(hFE)：最小100 @ IC=1mA, VCE=5V
　　过渡频率(fT)：300MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323(SC-85)
　　极性：NPN
　　集电极-基极电压(VCBO)：80V
　　发射极-基极电压(VEBO)：6V
　　饱和电压(VCE(sat))：最大500mV @ IC=10mA, IB=1mA
　　热阻(RθJA)：625°C/W
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

UMZ1NTR具备出色的高频开关能力，这使其成为高速数字逻辑电路和脉冲信号处理的理想选择。
　　其过渡频率高达300MHz，能够在高频环境下保持良好的增益特性，确保信号不失真地被放大或切换。
　　该晶体管的直流电流增益hFE最低为100，在小信号应用中表现出稳定的放大性能，适合用作前置放大器或驱动级放大器。
　　低饱和电压特性（VCE(sat) ≤ 500mV）有助于减少导通状态下的功耗，提高系统整体能效，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　SOT-323超小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内实现高效的热量管理。
　　该器件具有较高的击穿电压（VCEO=80V），可在较宽的电源电压范围内可靠工作，增强了系统的兼容性和适应性。
　　UMZ1NTR经过严格的老化测试和质量管控，确保在恶劣环境条件下仍能维持长期稳定运行，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
　　其快速开关响应时间减少了信号延迟，提升了数据传输速率，特别适合用于接口电路中的电平转换或信号整形功能。
　　此外，该晶体管对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，降低了因人为操作或环境因素导致的损坏风险。
　　综合来看，UMZ1NTR凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

UMZ1NTR广泛应用于各类需要小信号放大或高速开关功能的电子系统中。
　　在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的LED驱动、音频前置放大、传感器信号调理等电路模块。
　　在通信领域，该晶体管可用于无线模块的射频开关控制、数据缓冲器、逻辑门驱动以及串行通信接口的电平转换电路。
　　工业控制系统中，UMZ1NTR作为继电器驱动、光耦输入级、ADC/DAC使能控制等功能单元的核心元件，发挥着关键作用。
　　汽车电子方面，它适用于车身控制模块（BCM）、车内照明控制、车窗升降器驱动以及车载信息娱乐系统的信号处理部分。
　　此外，在电源管理电路中，该器件可用于低压差稳压器（LDO）的使能控制或负载开关的驱动级。
　　由于其支持自动贴装工艺，因此非常适合大规模自动化生产环境，提升制造效率并降低人工成本。
　　在测试与测量仪器中，UMZ1NTR可用于信号采样保持电路、比较器输入级或时钟信号整形电路，保障测试精度和响应速度。
　　教育实验平台和开发板也常采用此类通用晶体管，便于学生和工程师进行基础电路验证与原型设计。
　　总体而言，UMZ1NTR凭借其多功能性和高性价比，已成为众多电子设计项目的首选三极管型号之一。