IRGPH50K 时间：2025/12/26 20:44:13 阅读：14

IRGPH50K是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能高压功率MOSFET器件，专为高效率、高电压开关应用设计。该器件基于先进的沟槽栅技术，结合场截止（Field-Stop）结构和超结（Superjunction）技术，能够在高电压工作条件下实现极低的导通电阻（RDS(on)），同时保持优异的开关性能。IRGPH50K主要面向工业电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及高功率DC-DC转换器等对效率和可靠性要求较高的应用场景。其高击穿电压能力使其适用于600V及以上的系统，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适合在恶劣工作环境中长期运行。
　　该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于集成到各种大功率模块中。此外，IRGPH50K还优化了寄生参数，如输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），以降低开关损耗并提升系统整体能效。其栅极阈值电压设计合理，兼容标准逻辑电平驱动信号，简化了驱动电路的设计。英飞凌在功率半导体领域拥有深厚的技术积累，IRGPH50K作为其高端产品线的一员，广泛用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。

参数

型号：IRGPH50K
　　制造商：Infineon Technologies
　　封装类型：TO-247
　　极性：N沟道
　　漏源击穿电压（BVDSS）：650 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：50 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：200 A
　　导通电阻（RDS(on) @ 25°C）：75 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　最大栅源电压（VGSM）：±20 V
　　二极管反向恢复时间（trr）：35 ns
　　输入电容（Ciss）：4900 pF
　　输出电容（Coss）：1050 pF
　　反向传输电容（Crss）：65 pF
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　功耗（PD）：300 W

特性

IRGPH50K采用了英飞凌先进的超结（Superjunction）MOSFET技术，这一技术通过在漂移区交替排列P型和N型掺杂柱结构，显著降低了器件的导通电阻，同时维持了高击穿电压能力。这种结构有效打破了传统硅基MOSFET的“硅极限”，使得在650V耐压等级下仍能实现低至75mΩ的导通电阻，极大提升了器件的品质因数（FOM = RDS(on) × Qg），从而在高功率密度设计中表现出色。超结结构不仅降低了导通损耗，还在高温条件下保持稳定的电气性能，确保系统在满载或过载工况下的可靠性。
　　该器件具备优异的开关特性，其输入电容和反向传输电容经过优化，降低了栅极驱动损耗和米勒效应的影响，有助于实现高频开关操作而不会引发误触发。同时，体二极管的反向恢复时间较短（典型值35ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。这对于硬开关拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激等尤为重要。
　　IRGPH50K还具备出色的热性能和长期可靠性。TO-247封装具有较低的热阻（RthJC ≈ 0.4 K/W），可有效将芯片热量传导至散热器，避免局部过热。器件通过了AEC-Q101认证，具备高抗雪崩能力，能够承受瞬态过压冲击，适用于工业级严苛环境。此外，其栅氧化层经过特殊工艺处理，增强了抗闩锁和静电放电（ESD）能力，进一步提升了现场应用的鲁棒性。

应用

IRGPH50K广泛应用于多种高功率、高效率的电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于大功率开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在半桥、全桥和有源钳位拓扑中，凭借其低导通损耗和快速开关特性，显著提高电源的整体效率并减少散热需求。在可再生能源系统中，该器件被广泛应用于光伏（PV）逆变器的直流-交流转换级，支持高直流母线电压输入，并能在部分负载和满载条件下保持高能效，满足能源转换系统的严格效率标准（如Euro 5、80 PLUS Titanium等）。
　　在电动汽车充电基础设施中，IRGPH50K可用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的PFC（功率因数校正）级与DC-DC变换级，帮助实现高功率密度和高可靠性设计。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该器件作为逆变器开关元件，能够在市电中断时快速切换并提供稳定输出，保障关键设备持续供电。
　　其他应用还包括大功率电机驱动器、感应加热设备、电信电源系统以及高功率LED驱动电源。由于其具备宽温度工作范围和高抗扰度，IRGPH50K也适用于户外或高温工业环境下的长期运行系统，是现代高效能电力转换设计中的理想选择。