MMBZ6V8AL,215 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装硅单向电压抑制二极管(TVS)阵列,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件采用SOT-23(TO-236AB)封装,适用于便携式电子设备和通信接口的电路保护。
类型:单向TVS二极管
工作电压:6.8V
最大反向工作电压(VRWM):6.8V
击穿电压(VBR):7.56V(最小值)@ IT=1mA
钳位电压(VC):13.6V @ IPP=2.87A
峰值脉冲电流(IPP):2.87A
响应时间:< 1ns
封装形式:SOT-23(TO-236AB)
MMBZ6V8AL,215 采用先进的硅雪崩技术,具备快速响应时间和低钳位电压特性,使其能够在极端瞬态电压条件下迅速导通并吸收高能量脉冲,从而保护下游电路免受损坏。其低漏电流设计在正常工作条件下可确保系统的稳定性,且适用于高频率信号线路保护。该器件符合IEC 61000-4-2 ESD抗扰度标准,能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电。此外,其小型SOT-23封装便于在PCB上布局,适合用于空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、USB接口、HDMI端口和便携式音频设备等。
MMBZ6V8AL,215 的额定功率较高,可在短时间内承受较大的瞬态能量冲击,同时具备良好的热稳定性和长期可靠性,适用于工业和消费类电子产品。其单向导通结构使其在负向电压下不导通,因此适用于直流或单极性信号线路的保护。该器件还具有较低的动态电阻,有助于降低钳位电压并提高保护效果。此外,该TVS二极管具有优异的重复性能,能够在多次瞬态事件后保持稳定工作状态。
该器件广泛用于便携式电子设备、计算机外围设备、通信模块、工业控制系统、汽车电子、消费类电子产品以及各类接口(如USB、HDMI、RS-232、以太网等)的瞬态电压保护。它适用于需要高可靠性和高抗静电能力的场合,例如移动电话、数码相机、MP3播放器、笔记本电脑和智能家居设备等。此外,MMBZ6V8AL,215 也可用于保护敏感的模拟和数字信号线免受ESD和其他瞬态电压的影响。
MMBZ6V8ALT1G, SMAJ6.8A, PESD5V0S1BA, MMBZ5V6ALT1G