UMUR2060 时间：2025/12/27 8:50:46 阅读：18

UMUR2060是一款由优恩半导体（UNSEM）推出的高性能、高可靠性的MOSFET产品，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器及各类功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适合在高效率、高频率的电力电子系统中使用。UMUR2060属于N沟道增强型MOSFET，其设计目标是为中低压功率应用提供一个成本效益高且性能优越的解决方案。该芯片封装形式通常为SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装，便于在紧凑型PCB布局中实现高密度集成。由于其出色的电气特性和封装优势，UMUR2060被广泛用于便携式设备、电池管理系统、LED驱动电源以及消费类电子产品中的负载开关控制场景。

参数

型号：UMUR2060
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：6A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：24A
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.7V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：180pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：典型值15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

UMUR2060具备优异的导通性能与开关响应能力，其核心优势体现在低导通电阻和高电流承载能力上。在VGS=4.5V的工作条件下，RDS(on)仅为20mΩ，这意味着在大电流通过时能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。这一特性特别适用于电池供电设备，如移动电源、蓝牙耳机充电仓、智能手环等对能效要求较高的应用场景。此外，该器件在低栅压下仍能保持良好导通状态，例如在VGS=2.5V时RDS(on)为25mΩ，使其兼容于3.3V甚至更低电压逻辑控制信号，无需额外的电平转换电路即可直接由MCU GPIO驱动，简化了系统设计复杂度。
　　器件采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，在保证高性能的同时实现了小型化封装，SOT-23封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合自动化贴片生产。UMUR2060的快速开关特性使其在高频PWM调光、DC-DC升压/降压变换器中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和发热问题。同时，较低的输入电容（Ciss=450pF）意味着驱动功耗小，对前级驱动电路的要求更低，有利于延长电池寿命。
　　该MOSFET还具备较强的抗瞬态过载能力，最大脉冲漏极电流可达24A，适用于电机启动、继电器驱动等存在冲击电流的工况。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行，增强了系统的可靠性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=15ns），有助于抑制电压尖峰，提高在感性负载切换时的安全性。综合来看，UMUR2060是一款集高效、紧凑、可靠于一体的N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统的功率控制需求。