类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：19A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.044Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220

NDT451-AN MOSFET的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)）为0.044Ω，这使得它在导通状态下损耗极低，提高了电源转换效率。其高漏源电压（100V）和大漏极电流能力（19A）使其适用于中高功率应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。TO-220封装提供了良好的散热路径，有助于维持器件的长期可靠性。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统效率。NDT451-AN还具有良好的栅极驱动兼容性，可以与常见的驱动电路（如PWM控制器或微控制器）配合使用，简化设计流程。
　　在应用方面，NDT451-AN适用于多种功率电子设备，包括DC-DC转换器、H桥电机驱动器、LED照明驱动器、电池充电器和工业自动化控制系统。其优异的导通特性和高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。

NDT451-AN MOSFET被广泛应用于各类功率电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及工业控制设备。由于其高电流承载能力和良好的导通性能，该器件也适用于高效率开关电源（SMPS）和太阳能逆变器等场合。此外，在电机控制和机器人系统中，NDT451-AN常被用作H桥结构中的关键开关元件，以实现精确的速度和方向控制。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用。

IRFZ44N, FDPF4N60, FQP4N60