CS18N50FA9R 时间：2025/8/1 21:31:23 阅读：10

CS18N50FA9R 是一款由华润微电子（China Semiconductor Corporation）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用，如电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及开关电源（SMPS）等领域。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

CS18N50FA9R 具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和电流承载能力，适用于高温环境下长时间运行。
　　此外，CS18N50FA9R 具有较高的击穿电压能力（500V），能够承受较大的电压应力，适用于高电压开关电路。
　　其TO-220封装设计便于安装和散热，适合于各种电源应用中的标准散热设计。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。
　　由于其优异的性能，CS18N50FA9R 在工业电源、UPS、变频器、LED驱动电源等领域有广泛的应用。

应用

CS18N50FA9R 常用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、电源模块等，作为主开关管使用。
　　2. 逆变器和UPS系统：用于DC-AC转换电路中的功率开关。
　　3. 电机驱动与控制：如变频器、伺服驱动器等，用于功率调节和控制。
　　4. LED驱动电源：适用于高效率的LED恒流驱动电路。
　　5. 工业自动化设备：如PLC控制、工业变频器等高电压高功率控制电路。