KF5N53DS 时间：2025/9/12 11:12:17 阅读：8

KF5N53DS 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率开关应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。KF5N53DS 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：5A（连续）
　　导通电阻 Rds(on)：≤2.5Ω（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KF5N53DS 的核心特性之一是其优化的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力（Vds=500V），适合用于高压开关电路。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了稳定的电气性能和较长的使用寿命。KF5N53DS 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 10V 至 20V 之间正常工作，便于与常见的驱动电路兼容。
　　在热管理方面，TO-252 封装提供了良好的散热性能，有助于在高电流应用中保持芯片温度在安全范围内。KF5N53DS 还具有较强的抗雪崩能力和过载电流承受能力，使其在工业和电源系统中表现出色。
　　该器件还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。同时，其栅极电荷（Qg）也较低，进一步降低了驱动电路的负担。

应用

KF5N53DS 主要用于中高功率的开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动器、负载开关和电池管理系统中。其高耐压和中等电流能力使其适用于各种工业控制和电源管理系统。
　　在电源转换器中，KF5N53DS 可作为主开关用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效、稳定的功率输出。在马达控制应用中，该器件可用于 H 桥电路的上下桥臂，实现正反转控制和能耗制动。
　　由于其良好的耐压性能和稳定的导通特性，KF5N53DS 也常用于 LED 驱动电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等场合。此外，该器件还可用于电池充放电管理电路，实现高效的能量传输控制。