时间：2025/12/27 8:29:50
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UMMSZ5251B是一款由中央半导体（Central Semiconductor）生产的表面贴装齐纳二极管，属于MMBZ5251B系列的一部分。该器件采用SOD-123封装，具有小型化、高可靠性和优异的热稳定性，广泛应用于各种电子电路中的电压参考和稳压功能。齐纳二极管是一种特殊类型的二极管，在反向击穿区域工作时能够提供稳定的电压输出，即使输入电流在一定范围内变化，其两端的电压仍能保持恒定。UMMSZ5251B的标称齐纳电压为9.1V，容差为±5%，适用于需要精确电压基准的应用场景。该器件设计用于低功率应用，最大耗散功率通常为200mW左右，适合在便携式设备、电源管理电路、信号调理电路以及过压保护电路中使用。由于其采用SOD-123封装，具有较小的占板面积和良好的散热性能，因此非常适合高密度PCB布局。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。UMMSZ5251B在制造过程中经过严格筛选和测试，确保其电气参数的一致性和长期可靠性，能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适应严苛的环境条件。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-123
齐纳电压（Vz）：9.1V
容差：±5%
测试电流（Izt）：20mA
最大功率耗散：200mW
工作温度范围：-65°C ~ +150°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
热阻θja：450°C/W
齐纳阻抗（Zzt）：17Ω @ 20mA
UMMSZ5251B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，其核心优势在于提供一个精确且稳定的参考电压，适用于对电压精度要求较高的模拟和数字电路系统。该器件在20mA的测试电流下表现出9.1V的标称齐纳电压，并且电压容差控制在±5%以内，这使得它在电压调节、电平转换和反馈控制电路中表现优异。其低动态阻抗（典型值为17Ω）意味着在负载或输入电流波动时，输出电压的变化非常小，从而提高了系统的整体稳定性。该器件的SOD-123封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量有效传递到PCB上，防止因局部过热导致性能下降或损坏。在温度稳定性方面，UMMSZ5251B的温度系数经过优化，在接近9.1V的电压点上具有较低的温度漂移，这是因为硅齐纳二极管在约5V至8V之间的电压具有最小的温度系数，而9.1V虽略高于此范围，但仍处于可接受水平，配合外围补偿电路可进一步提升温漂性能。此外，该器件支持快速响应瞬态电压变化，可用于抑制噪声和浪涌电压，起到一定的保护作用。其反向击穿机制基于齐纳效应与雪崩效应的复合机制，在9V左右的工作电压下，雪崩效应占主导，具有较好的可重复性和耐久性。器件还具备良好的长期稳定性，即使在长时间运行后，其电压漂移也非常小，适合用于工业控制、汽车电子和通信设备等对可靠性要求高的场合。
UMMSZ5251B的制造工艺遵循严格的品质控制标准，确保每批次产品具有一致的电气特性和高良率。其结构采用平面技术，具有优良的漏电流控制能力，反向漏电流在额定条件下非常低，通常小于1μA，从而减少了不必要的功耗，特别适用于电池供电的低功耗系统。同时，该器件在反向击穿区工作时不会发生永久性损坏，只要不超过最大功率限制，即可持续稳定运行。这种非破坏性的击穿特性使其成为理想的稳压元件。此外，该器件的引脚配置符合行业通用标准，便于替换同类产品，降低设计复杂度。其材料构成符合无铅焊接工艺要求，兼容回流焊和波峰焊等多种装配方式，提升了生产效率和焊接可靠性。综合来看，UMMSZ5251B是一款性能稳定、应用灵活、成本效益高的表面贴装齐纳二极管，适用于多种电压参考和稳压需求场景。
UMMSZ5251B广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中，例如开关电源和线性稳压器的反馈网络中作为分压采样基准，确保输出电压的精确调节；在模拟电路中用作偏置电压源，为运算放大器、比较器等提供稳定的偏置点；也可用于过压保护电路中，当电压超过设定阈值时导通泄放电流，保护后续敏感元件；此外，还常见于电平转换接口电路中，实现不同逻辑电平之间的匹配；在电池供电设备如智能手机、平板电脑和便携式仪器中，用于监测电池电压或提供内部参考电压；在工业控制系统中，用于传感器信号调理模块中的电压钳位和基准生成；也可作为浪涌抑制器与TVS管配合使用，提升系统电磁兼容性；在汽车电子领域，用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和电源分配单元中的电压监控电路；在通信设备中，用于电源监控和信号整形电路；还可用于ADC/DAC参考电压源的辅助稳压环节，提高数据转换精度。
MMBZ5251B-7-F,MZ5251B-TP,1N4742A
