时间：2025/5/21 11:08:18
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GA1206A1R2CXBBC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于沟道增强型场效应晶体管。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化等领域。其设计优化了效率和可靠性，特别适合高频开关应用。
最大漏源电压：120V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：45mΩ
总栅极电荷：27nC
开关时间：ton=9ns, toff=12ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
GA1206A1R2CXBBC31G 的主要特点是低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
其次，该器件具有高开关速度，可以支持高频应用，从而允许使用更小的无源元件，进一步降低系统成本和尺寸。
此外，其出色的热性能和坚固的设计使其能够在极端温度条件下可靠运行，非常适合恶劣环境下的应用。
该功率MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池保护以及电信和网络设备中的电源管理模块。
由于其高效率和可靠性，这款晶体管也常用于工业设备、消费类电子产品和汽车电子领域。
GA1206A1R2CXBBT31G
