时间：2025/5/24 19:08:50
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FN15B684K100PNG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能功率转换的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高耐压能力，能够显著降低能量损耗并提高系统的整体效率。
FN15B684K100PNG属于N沟道增强型MOSFET，其设计特点包括快速开关性能、低栅极电荷以及优化的热特性，非常适合在高频应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：68A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FN15B684K100PNG的主要特性包括：
1. 高电流承载能力，连续漏极电流高达68A，适用于大功率应用。
2. 极低的导通电阻，仅为1.5mΩ（典型值），可有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输出电容，适合高频开关电路。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. TO-247封装提供卓越的散热性能，确保器件在高负载条件下的长期稳定性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
FN15B684K100PNG适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制模块。
3. 逆变器系统中的核心功率转换器件。
4. DC-DC转换器中的同步整流开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
6. 电动汽车及新能源领域相关的功率电子系统。
IRFP2907, FDP15N100, CSD19536KCS
