电容值：330pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0201 (0603公制)
　　电介质材料：Class II, X7R
　　直流偏压特性：典型值随电压升高电容略有下降
　　老化特性：≤2.5%每 decade
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　焊接方式：回流焊
　　环保属性：无铅、符合RoHS、不含卤素

CL05B331KBNC所采用的X7R电介质材料属于II类陶瓷材料，具有较高的介电常数，能够在较小的物理尺寸下实现相对较大的电容值。其最显著的特性是在-55°C到+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，确保了在极端环境下的稳定工作能力。这种温度稳定性使其优于Z5U或Y5V等材料，在需要精度和可靠性的应用中更具优势。
　　该器件的0201封装尺寸（0.6mm × 0.3mm）极大节省了PCB布局空间，满足现代电子产品向轻薄化、高集成度发展的趋势。尽管尺寸微小，但其结构设计优化了机械强度与热应力匹配性，降低了因热循环或机械振动导致裂纹的风险。同时，该电容具备良好的直流偏压响应，即在施加接近额定电压的直流偏置时，电容值下降幅度相对可控，这对于电源去耦应用尤为重要。
　　CL05B331KBNC还表现出优异的高频响应特性，得益于其低ESL和适度的ESR，可在数百MHz乃至GHz频段有效发挥去耦作用，抑制高频噪声。其多层结构增强了电流分布均匀性，提升了抗浪涌能力和长期可靠性。此外，该器件采用镍阻挡层和锡电极设计，增强了可焊性和耐热冲击性能，适用于自动化贴片工艺和无铅回流焊接流程。
　　在可靠性方面，该产品经过严格的制造控制和筛选测试，具备低失效率和长寿命特点。其电容老化率约为每10倍时间周期2.5%，可通过高温存储恢复初始性能。整体设计兼顾了电气性能、机械兼容性和生产工艺适应性，是高密度电子系统中理想的通用型陶瓷电容解决方案。

CL05B331KBNC广泛应用于各类高密度电子设备中，尤其适用于对元件尺寸敏感且要求电气性能稳定的场合。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中，它常用于射频前端模块、基带处理器和电源管理芯片的去耦网络，有效滤除高频噪声并稳定供电电压。在无线连接模块（如Wi-Fi、蓝牙、NFC）中，该电容可用于阻抗匹配网络和LC滤波电路，确保信号完整性。
　　在消费类电子产品中，包括智能手表、TWS耳机和其他可穿戴设备，CL05B331KBNC因其微型封装成为首选，支持紧凑型PCB布局的同时提供可靠的旁路功能。在数字集成电路系统中，它被广泛用于FPGA、ASIC和MCU的电源引脚附近，作为局部储能元件，应对瞬态电流变化，减少电源波动对芯片运行的影响。
　　此外，该器件也适用于工业控制、汽车电子（非动力系统）和医疗便携设备等领域，特别是在需通过AEC-Q200认证的车载信息娱乐系统或传感器模块中表现良好。其宽温特性和稳定性使其能在恶劣环境下持续工作。在模拟信号链路中，可用于交流耦合、滤波和定时电路，配合电阻或电感构成RC/LC网络，实现频率选择或相位调整功能。总体而言，该电容是一款通用性强、适应面广的高性能MLCC器件。

GRM155R71H331KA88D
　　CC0201-331K-Z
　　C0201C331K5RACTU
　　LL0503SUP331KVCR