FDB8880TM 时间：2025/12/29 15:04:47 阅读：14

FDB8880TM 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于高功率开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，能够在高电流和高频率下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：120A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V 时为 1.9mΩ；@Vgs=4.5V 时为 2.7mΩ
　　功耗（Pd）：200W
　　封装：PowerTrench? T8（TO-247AC）

特性

FDB8880TM MOSFET 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗并提高系统效率。其采用的 PowerTrench? 技术优化了沟槽结构，从而在保持高性能的同时实现了更小的芯片尺寸。此外，该器件具有出色的热稳定性和高耐用性，适用于严苛的工作环境。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种控制电路设计。其 TO-247AC 封装形式具有良好的散热性能，适合用于高功率密度设计。FDB8880TM 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和能效。
　　此外，该器件具备较高的短路耐受能力，增强了其在异常工况下的可靠性。这使得 FDB8880TM 在汽车电子、工业电源、电动工具、电池管理系统（BMS）等高要求应用中具有广泛的适用性。

应用

FDB8880TM 主要应用于需要高效、高功率密度的电源管理系统，例如汽车电子中的电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、电机控制器等。此外，它也适用于工业自动化设备、服务器电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等需要高效率功率转换的场景。由于其良好的热性能和高可靠性，FDB8880TM 在高负载环境下表现尤为出色。