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UMK212SD822KD-T 发布时间 时间:2025/6/26 14:46:10 查看 阅读:3

UMK212SD822KD-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率并降低功耗。
  这款器件采用了 TO-252 封装形式,适合表面贴装技术(SMT),能够在紧凑的空间内提供高效的功率转换能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):2.2mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-252

特性

UMK212SD822KD-T 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 内置反向恢复二极管,可有效抑制尖峰电压。
  4. 强大的散热性能,即使在高负载条件下也能保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 高可靠性设计,经过严格的测试和验证流程以确保其在恶劣环境下的稳定性。

应用

UMK212SD822KD-T 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷直流电机。
  3. DC-DC 转换器,用于便携式设备和工业自动化系统。
  4. 电池管理系统(BMS),特别是在电动汽车和储能系统中。
  5. 各类需要高效功率管理的电子设备,如 LED 驱动器和通信电源等。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, AO3400A

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UMK212SD822KD-T参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CFCAP™
  • 电容8200pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±10%
  • 温度系数-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.95mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低失真
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-
  • 其它名称587-1112-2CF UMK212 SD822KD-T