PESD9B3V3A 是一款基于硅技术的双向静电放电 (ESD) 保护二极管。它设计用于为敏感的电子设备提供瞬态电压浪涌保护,特别是在数据线和信号线中。该器件具有低电容特性,使其非常适合高速应用。其封装小巧,便于在空间受限的设计中使用。
该元器件支持高能效的系统设计,能够在不影响信号完整性的情况下快速响应并抑制瞬态电压。这使得 PESD9B3V3A 成为通信、消费电子和工业应用中的理想选择。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:±17A
最大工作电压:±3.8V
击穿电压:±4.2V
箝位电压:±10.8V
电容:6pF
响应时间:≤1ns
封装形式:SOD-923
PESD9B3V3A 具有以下主要特性:
1. 双向保护功能,适用于正负双向瞬态电压。
2. 极低的负载电容(6pF),确保高速数据传输的应用不受影响。
3. 快速响应时间(≤1ns),可以迅速抑制瞬态电压,从而有效保护后端电路。
4. 高浪涌能力(±17A),能够承受较大的瞬态电流冲击。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
6. 小型化封装(SOD-923),节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
PESD9B3V3A 广泛应用于需要 ESD 和浪涌保护的各种场景,包括但不限于:
1. USB 接口保护。
2. HDMI、DisplayPort 等高速接口的保护。
3. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的信号线保护。
4. 工业控制设备中的数据总线保护。
5. 通信设备中的天线接口保护。
6. 医疗设备中的敏感电路保护。
PESD9B3V3AFT, PESD9B3V3AE