时间：2025/8/6 1:15:03
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IXSN62N60AU1 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。这款器件采用 TO-247 封装形式，具有良好的导通特性和快速的开关性能，广泛用于电源转换器、逆变器、马达控制以及工业自动化系统中。该器件的设计使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：62A
漏极电流峰值（Idm）：250A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：160nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IXSN62N60AU1 的主要特性之一是其卓越的导通性能，在 10V 栅极驱动电压下可实现低至 0.18Ω 的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流容量和强大的过载能力，使其在高负载条件下仍能可靠运行。该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外围电路的尺寸和成本。
该器件的封装设计（TO-247）有助于有效散热，提高了在高温环境下的稳定性与可靠性。此外，其内部结构优化了电场分布，提高了击穿电压稳定性，降低了短路和失效的风险。该器件还符合 RoHS 环保标准，适合用于现代绿色电子设备中。
IXSN62N60AU1 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器等。其高可靠性和快速响应特性使其成为工业和高要求环境中的理想选择。
IXFK62N60P、IRF2807、STF62N60DM2、FDPF62N60
