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UMK212AB7104KD-T 发布时间 时间:2025/6/11 14:33:53 查看 阅读:44

UMK212AB7104KD-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于高频开关和高效能转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能,能够显著提升电源系统的效率和稳定性。其封装形式为TO-263,适合表面贴装,广泛应用于各种工业和消费类电子产品中。

参数

型号:UMK212AB7104KD-T
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):70V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-263

特性

UMK212AB7104KD-T 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,从而提高系统效率并减小滤波器尺寸。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 良好的热性能,有助于延长器件寿命和提升可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的需求。
  6. 强大的抗静电能力 (ESD),确保了在生产过程中的稳定性和安全性。
  这些特点使得该器件非常适合用于高功率密度的设计环境。

应用

UMK212AB7104KD-T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电机驱动控制电路,特别是需要大电流和高效率的应用。
  3. 太阳能逆变器中的功率调节系统。
  4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化设备中的电源管理单元。
  6. LED照明驱动器,提供高效的能源转换与控制功能。
  该器件凭借其出色的性能,在各类电力电子系统中发挥着重要作用。

替代型号

UMK212AB7104LD-T, IRF7849TRPBF, FDP5570N

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UMK212AB7104KD-T参数

  • 现有数量2,871现货
  • 价格1 : ¥2.07000剪切带(CT)4,000 : ¥0.36935卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.1 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-