UMK212AB7104KD-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于高频开关和高效能转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能,能够显著提升电源系统的效率和稳定性。其封装形式为TO-263,适合表面贴装,广泛应用于各种工业和消费类电子产品中。
型号:UMK212AB7104KD-T
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
封装形式:TO-263
UMK212AB7104KD-T 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,从而提高系统效率并减小滤波器尺寸。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 良好的热性能,有助于延长器件寿命和提升可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的需求。
6. 强大的抗静电能力 (ESD),确保了在生产过程中的稳定性和安全性。
这些特点使得该器件非常适合用于高功率密度的设计环境。
UMK212AB7104KD-T 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动控制电路,特别是需要大电流和高效率的应用。
3. 太阳能逆变器中的功率调节系统。
4. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
5. 工业自动化设备中的电源管理单元。
6. LED照明驱动器,提供高效的能源转换与控制功能。
该器件凭借其出色的性能,在各类电力电子系统中发挥着重要作用。
UMK212AB7104LD-T, IRF7849TRPBF, FDP5570N