时间：2025/8/28 18:50:51
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FDH210N08是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（80V）和大电流处理能力（100A）的特点。FDH210N08采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能和热管理能力，适用于多种电源系统和电机控制应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：100A
最大漏源电压（Vds）：80V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
FDH210N08具有多项显著的技术特性，首先，其低导通电阻Rds(on)为5.5mΩ，这使得在高电流工作时的导通损耗大大降低，提高了系统的整体效率。其次，该器件具有高达80V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。此外，FDH210N08的最大漏极电流可达100A，使其能够在高负载条件下稳定工作。
在封装方面，FDH210N08采用D2PAK（TO-263）封装形式，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械强度，适合在高温和高功率环境下使用。同时，其±20V的栅源电压容限增强了栅极驱动的灵活性，使其能够兼容多种驱动电路设计。
FDH210N08还具备优异的开关特性，包括快速的导通和关断时间，从而降低了开关损耗，提高了动态响应能力。其工作温度范围为-55°C至175°C，确保了在各种环境条件下的可靠运行。这些特性使FDH210N08成为高性能电源转换系统中的理想选择。
FDH210N08广泛应用于多种高功率电子系统中。其最常见的用途是在DC-DC转换器中作为主开关元件，例如用于服务器、通信设备和工业电源的多相降压转换器。此外，该器件也适用于电机控制电路，如电动工具、电动车辆和工业自动化设备中的电机驱动系统。
在电池管理系统（BMS）中，FDH210N08可作为高侧或低侧开关，实现对电池充放电过程的高效控制。由于其高耐压和大电流能力，该器件也适用于电源逆变器和不间断电源（UPS）系统。
另外，FDH210N08还可用于负载开关、热插拔电源控制、电源分配系统和高功率LED照明驱动电路中。在这些应用中，FDH210N08的低导通损耗和优异的热性能有助于提高系统效率并延长设备寿命。
SiHF100N08,TMOSFET T100N8KH,TMOSFET T100N8KQ
