UMK107B7474KA-TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,能够提供低导通电阻和高效率的开关性能。该器件适用于各种需要高效功率转换的应用场景,例如 DC-DC 转换器、电源适配器、电机驱动以及 LED 驱动等。其封装形式为 TO-263(DPAK),具备出色的散热性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有快速开关特性和较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。通过优化的设计,该芯片能够在高频工作条件下保持优异的性能表现。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):65nC(典型值)
开关频率:支持高达500kHz
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-263 (DPAK)
1. 极低的导通电阻 Rds(on),在高电流应用中显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
3. 具备强大的热稳定性,在极端温度范围内仍能可靠运行。
4. 高雪崩击穿能量(AEBS)耐受能力,增强了器件的坚固性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局与散热管理。
7. 支持大电流负载,满足工业级和汽车级应用需求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电机驱动电路中的开关元件。
3. DC-DC 转换器的核心功率器件。
4. LED 驱动电路中的电流控制。
5. 各类电池充电器中的同步整流。
6. 工业自动化设备中的负载切换。
7. 汽车电子系统中的功率管理模块。
UMK107B7474HA-TR, IRF7739PBF, AO3400A