容量：256Kb
　　组织方式：32K x 8
　　接口类型：并行接口
　　访问时间：55ns
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP
　　非易失性写入次数：无限次
　　数据保留时间：超过20年

ES23MABE 的核心优势在于其 MRAM 技术所带来的卓越性能和可靠性。
　　首先，该芯片具备 SRAM 级别的高速访问能力，访问时间仅为 55ns，能够满足对实时性要求极高的应用场景。相较于传统的 FRAM 或 Flash 存储器，其读写速度更快，且无需等待写入周期完成即可进行下一次操作。
　　其次，由于采用了非易失性 MRAM 单元，ES23MABE 在断电后仍可保存数据，无需依赖外部电池或电容进行数据保持。这不仅提高了系统的稳定性，也降低了设计复杂度和维护成本。
　　再者，该器件支持无限次的写入操作，不存在传统 Flash 所存在的擦写寿命限制问题。这种特性使其特别适合频繁写入的应用场景，如日志记录、实时数据缓存等。
　　此外，ES23MABE 提供宽泛的工作电压范围（2.3V~3.6V），兼容多种电源管理系统，并可在工业级温度范围内（-40°C~+85°C）稳定运行，适应性强，适用于各种严苛环境下的嵌入式系统和工业控制设备。

ES23MABE 主要应用于以下领域：
　　1. 工业控制系统：用于实时数据采集和状态存储，确保在突发断电时关键数据不丢失。
　　2. 医疗设备：作为高速缓存或配置存储器，保证设备在重启后能快速恢复之前的状态。
　　3. 汽车电子：用于安全气囊控制器、ECU（电子控制单元）等关键模块的数据保护和临时存储。
　　4. 网络通信设备：作为高速缓冲区或配置寄存器使用，提升网络设备响应速度与稳定性。
　　5. 军工航天：适用于对数据可靠性和耐久性要求极高的任务关键型系统中。
　　总的来说，ES23MABE 凭借其高速、非易失、无限写入寿命等优势，是替代传统带电池备份SRAM、Flash 和 EEPROM 的理想选择。

FS23MR256GLPMC1, ST-MRAM-256K