UMK105CG300JVHF是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率应用而设计。该器件采用了先进的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术,能够在高频工作条件下提供卓越的性能。这种晶体管广泛应用于射频功率放大器、无线通信系统以及工业和医疗设备中。
该型号具有良好的线性度和增益特性,同时能够承受较高的电压和电流,从而确保在各种复杂环境下的稳定运行。
最大漏源电压:70V
最大栅源电压:6V
漏极连续电流:30A
输出功率:300W
频率范围:30MHz-300MHz
增益:12dB
导通电阻:0.04Ω
封装形式:TO-247-3
UMK105CG300JVHF晶体管具备以下显著特性:
1. 高效功率输出能力,在高频范围内可提供高达300W的输出功率。
2. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗,提高整体效率。
3. 采用先进的GaN技术,能够支持更宽的带宽和更高的开关速度。
4. 优秀的热稳定性,适合长时间高温环境下的操作。
5. 封装坚固耐用,具有良好的散热性能和抗电磁干扰能力。
6. 可靠性高,适用于多种严苛的工作条件,包括极端温度和高压环境。
该晶体管主要应用于以下领域:
1. 射频功率放大器,用于无线通信基站、卫星通信系统等。
2. 工业加热设备,如微波炉和其他高频加热装置。
3. 医疗成像设备中的高频信号发生器。
4. 军事雷达系统,提供高功率射频输出。
5. 测试与测量设备中的高频信号源。
6. 其他需要高性能功率输出的电子设备。
UMK105CG250JVHF
UMK105CG350JVHF