器件类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：8.2V（在 Izt = 5mA 时）
　　最大齐纳电流（Iz(max)）：100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（SMD）
　　引脚数：2
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（在 Vr = 1V 时）
　　动态电阻（Zzt）：约 50Ω（在 Iz = 5mA）

HZU8.2B3TRF 齐纳二极管具备多项优异的电气和物理特性，适用于多种电子系统中的电压调节和参考电压生成。首先，其标称齐纳电压为8.2V，在5mA的测试电流下具有良好的稳定性和重复性，能够提供精确的参考电压。其次，该器件的最大齐纳电流可达100mA，允许在较宽的负载范围内保持稳定的输出电压，增强了其在不同应用场景中的适应性。
　　在封装方面，HZU8.2B3TRF 采用 SOD-323 封装，体积小巧，便于在高密度印刷电路板（PCB）上布局，适用于便携式电子产品和空间受限的设计。此外，该封装具备良好的热性能，能够在-55°C至+150°C的工作温度范围内稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。
　　该齐纳二极管的动态电阻（Zzt）约为50Ω，在5mA工作电流下表现出较低的内阻，有助于提高稳压精度并减少电压波动。其最大反向漏电流仅为100nA（在1V反向电压下），确保在非工作状态下的功耗极低，适用于低功耗设计。此外，器件的最大功耗为300mW，具备一定的过载能力，可在短时间高电流条件下正常工作。
　　由于其优异的稳定性和可靠性，HZU8.2B3TRF 常用于电源管理、电压参考、过压保护、信号调节等电路中，是各类模拟和数字系统中不可或缺的元件。

HZU8.2B3TRF 主要用于需要稳定电压参考或进行电压调节的电子电路中。典型应用包括电源稳压电路中的参考电压源、运算放大器偏置电路、电池供电设备的电压监测、ADC/DAC的基准电压提供等。此外，该器件也可用于保护电路中，作为过压保护元件，防止敏感电子元件因瞬态电压过高而损坏。在工业控制系统、消费类电子产品、通信设备以及汽车电子中均有广泛应用。

BZX84C8V2, ZMM8V2, MMSZ5237B