型号：JCS9N50FT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：9A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：36A
　　最大功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.85Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω @ Vgs=5V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：330pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

JCS9N50FT采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够有效提升单位面积内的载流子迁移率，从而降低导通电阻并提高电流处理能力。其核心优势在于在500V耐压等级下实现了较低的Rds(on)，这使得器件在导通状态下产生的功率损耗显著减少，有助于提高整个电源系统的转换效率。特别是在轻负载或中等负载条件下，低导通电阻带来的节能效果尤为明显。该器件具备优异的热稳定性，得益于TO-220F封装良好的热传导性能，能够在长时间高负荷运行中维持较低的结温，延长使用寿命。
　　在动态性能方面，JCS9N50FT展现出快速的开关响应能力，其开启延迟时间和关断延迟时间均处于行业领先水平，配合较小的输入与输出电容，可有效减少开关过程中的交叠损耗，特别适合用于高频开关电源设计。此外，较低的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，防止因寄生反馈导致的误触发现象，从而增强电路工作的稳定性与可靠性。该器件还内置了较强的抗静电能力，并通过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）及高温工作寿命（HTOL）等项目验证，确保在复杂电磁环境和恶劣工况下的长期稳定运行。
　　从安全性和耐用性角度看，JCS9N50FT具备出色的抗雪崩能量能力，意味着即使在突发短路或电感负载突变的情况下，器件也能承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏。这一特性对于保护后级电路和提升系统鲁棒性至关重要。同时，其栅氧层经过特殊加固处理，可耐受高达±30V的栅源电压，避免因驱动信号异常而导致击穿风险。综合来看，JCS9N50FT不仅在电气性能上表现出色，而且在封装设计上兼顾了绝缘与散热需求，TO-220F封装提供底部绝缘片安装方式，便于与散热器连接，广泛应用于对安全隔离要求较高的家电、工业电源和照明设备中。

JCS9N50FT广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效能、小体积和高可靠性的场合。典型应用场景包括通用交流适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED恒流驱动电源以及小型逆变器等消费类电子产品。在这些设备中，它通常作为主开关管使用，负责将输入的高压直流或整流后的交流电进行斩波控制，实现能量的高效传递与电压调节。凭借其500V的耐压能力和9A的持续电流承载能力，JCS9N50FT能够胜任多数单端反激（Flyback）和正激（Forward）拓扑结构的需求。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC电源模块、继电器驱动电路、电机调速控制器以及小型伺服电源系统中，承担功率切换和稳压功能。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，即使在粉尘较多或温差较大的工业环境中也能保持正常工作。此外，在新能源相关产品如太阳能微型逆变器、储能系统辅助电源中，JCS9N50FT也因其高效率和长寿命特点被广泛采用。在家电应用中，诸如空气净化器、抽油烟机、洗衣机变频模块等设备中的低压直流供电单元同样可以使用该MOSFET进行功率管理。
　　值得一提的是，JCS9N50FT在待机模式下的静态功耗极低，符合当前节能环保的设计趋势，满足各国能效标准（如Energy Star、EuP Lot6等）的要求。因此，无论是用于民用还是商用电源设计，该器件都能提供一个经济且高效的解决方案。同时，其标准化的TO-220F封装便于自动化贴装和维修更换，有利于降低生产成本和维护难度。

JSTK9N50F, JCS9N50, FQP9N50C, STF9NM50, 2SK3562