UMK063CG7R5DTHF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效提升系统的效率和稳定性。
这款功率 MOSFET 支持高电压操作,并且具备良好的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。
类型:MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.07Ω
功耗(Pd):340W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ to 150℃
UMK063CG7R5DTHF 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,支持高达 650V 的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻 (Rds(on)) 仅为 0.07Ω,在高电流条件下可以减少功率损耗。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。
4. 具备强大的过流保护功能和热关断机制,提高了器件的可靠性和安全性。
5. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃),能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
UMK063CG7R5DTHF 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. 工业电机驱动和逆变器中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器以及其他可再生能源转换设备。
4. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
5. 各种大功率 LED 照明驱动电路。
6. 不间断电源 (UPS) 和其他备用电源系统。
UMK063CG7R5DTRHF, IRF840, STP12NM60