IRFB33N15DPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道功率MOSFET,采用DPAK(TO-263)封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动器以及各类需要高效功率转换和控制的场景中。
其设计重点在于提供低导通电阻和高效率性能,同时具备良好的热特性和电气稳定性。通过优化栅极电荷参数,这款MOSFET能够有效降低开关损耗,并在高频应用中表现出色。
型号:IRFB33N15DPBF
封装:DPAK (TO-263)
Vds(漏源电压):150V
Rds(on)(导通电阻,典型值):7.5mΩ @ Vgs=10V
Id(连续漏电流):28A
Qg(总栅极电荷量):29nC
fT(过渡频率):1.4MHz
Pd(总功耗):195W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
IRFB33N15DPBF 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体系统效率。
2. 优秀的开关性能,得益于较小的栅极电荷量(Qg),可有效降低开关过程中的能量损失。
3. 较高的额定漏源电压(Vds = 150V),使其适用于多种高压应用场景。
4. 支持大电流输出(Id = 28A),满足工业级及消费类电子产品的功率需求。
5. 采用标准DPAK封装,易于安装与散热设计,同时兼容自动化装配工艺。
6. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境条件下的稳定运行。
IRFB33N15DPBF 的主要应用领域包括:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 直流-直流(DC-DC)转换器
3. 电动工具与家用电器的电机驱动
4. 汽车电子中的负载切换
5. 可再生能源设备如太阳能逆变器中的功率管理模块
6. 工业自动化系统中的功率控制单元
该器件凭借其优异的电气性能和可靠性,成为上述领域的理想选择。
IRFZ44N, STP36NF06, FDP150N10ATMA