时间：2025/7/2 15:29:20
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IRFB33N15DPBF 是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道功率MOSFET，采用DPAK（TO-263）封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动器以及各类需要高效功率转换和控制的场景中。
其设计重点在于提供低导通电阻和高效率性能，同时具备良好的热特性和电气稳定性。通过优化栅极电荷参数，这款MOSFET能够有效降低开关损耗，并在高频应用中表现出色。
型号：IRFB33N15DPBF
封装：DPAK (TO-263)
Vds（漏源电压）：150V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：7.5mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏电流）：28A
Qg（总栅极电荷量）：29nC
fT（过渡频率）：1.4MHz
Pd（总功耗）：195W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IRFB33N15DPBF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 优秀的开关性能，得益于较小的栅极电荷量（Qg），可有效降低开关过程中的能量损失。
3. 较高的额定漏源电压（Vds = 150V），使其适用于多种高压应用场景。
4. 支持大电流输出（Id = 28A），满足工业级及消费类电子产品的功率需求。
5. 采用标准DPAK封装，易于安装与散热设计，同时兼容自动化装配工艺。
6. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境条件下的稳定运行。
IRFB33N15DPBF 的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流（DC-DC）转换器
3. 电动工具与家用电器的电机驱动
4. 汽车电子中的负载切换
5. 可再生能源设备如太阳能逆变器中的功率管理模块
6. 工业自动化系统中的功率控制单元
该器件凭借其优异的电气性能和可靠性，成为上述领域的理想选择。
IRFZ44N, STP36NF06, FDP150N10ATMA
