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IRFB33N15DPBF 发布时间 时间:2025/7/2 15:29:20 查看 阅读:9

IRFB33N15DPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道功率MOSFET,采用DPAK(TO-263)封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动器以及各类需要高效功率转换和控制的场景中。
  其设计重点在于提供低导通电阻和高效率性能,同时具备良好的热特性和电气稳定性。通过优化栅极电荷参数,这款MOSFET能够有效降低开关损耗,并在高频应用中表现出色。

参数

型号:IRFB33N15DPBF
  封装:DPAK (TO-263)
  Vds(漏源电压):150V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):7.5mΩ @ Vgs=10V
  Id(连续漏电流):28A
  Qg(总栅极电荷量):29nC
  fT(过渡频率):1.4MHz
  Pd(总功耗):195W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRFB33N15DPBF 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 优秀的开关性能,得益于较小的栅极电荷量(Qg),可有效降低开关过程中的能量损失。
  3. 较高的额定漏源电压(Vds = 150V),使其适用于多种高压应用场景。
  4. 支持大电流输出(Id = 28A),满足工业级及消费类电子产品的功率需求。
  5. 采用标准DPAK封装,易于安装与散热设计,同时兼容自动化装配工艺。
  6. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境条件下的稳定运行。

应用

IRFB33N15DPBF 的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流(DC-DC)转换器
  3. 电动工具与家用电器的电机驱动
  4. 汽车电子中的负载切换
  5. 可再生能源设备如太阳能逆变器中的功率管理模块
  6. 工业自动化系统中的功率控制单元
  该器件凭借其优异的电气性能和可靠性,成为上述领域的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, STP36NF06, FDP150N10ATMA

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IRFB33N15DPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2020pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFB33N15DPBF