类型：齐纳二极管
　　最大耗散功率：300 mW
　　齐纳电压（Vz）：6.2 V
　　齐纳电流（Iz）：20 mA
　　最大反向漏电流：100 nA
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBZ5234BLT3齐纳二极管具有多种显著特性，适用于广泛的应用场景。首先，其稳定的齐纳电压为6.2 V，在20 mA的测试电流下具有极小的电压波动，确保了电压调节的准确性。齐纳二极管的击穿电压在制造过程中经过精确调整，使其在各种电子电路中都能提供可靠的参考电压。
　　其次，该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保器件在额定功率下稳定运行。此外，该封装形式也适合自动化贴片工艺，提高了生产效率。
　　MMBZ5234BLT3的最大耗散功率为300 mW，使其能够在一定的功率范围内正常工作。该器件的反向漏电流极低（最大为100 nA），在未击穿状态下几乎不影响电路的正常运行。这种特性使其非常适合用于低功耗电路和精密电子设备中。
　　该齐纳二极管的温度稳定性较好，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内工作，适应不同的环境条件。这种宽工作温度范围使得MMBZ5234BLT3能够在工业级应用中稳定运行，如电源管理、信号调节和电压参考等应用场景。

MMBZ5234BLT3主要应用于电压调节、参考电压源、过压保护电路、稳压电源、电池供电设备、信号调理电路以及精密模拟电路等领域。此外，它也广泛用于通信设备、工业控制、消费电子产品和汽车电子系统中。

MMBZ5234B, MMSZ5234B, 1N4735A