型号：TE28F128P33T85
　　制造商：Intel / Micron
　　存储容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：8M x16 / 16M x8
　　接口类型：并行（x8/x16可配置）
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP Type II
　　访问时间：85ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　待机电流：≤ 100μA
　　读取电流：≤ 25mA
　　编程/擦除电流：≤ 30mA
　　存储单元技术：StrataFlash MLC
　　擦除周期：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 10 年

TE28F128P33T85采用Intel独有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR Flash架构的多级单元（MLC）存储技术，能够在不牺牲可靠性的前提下实现更高的存储密度。与传统的单层单元（SLC）NOR Flash相比，StrataFlash通过在每个存储单元中存储多个比特信息（如2比特/单元），将存储容量提升了一倍甚至更多，同时维持了NOR Flash固有的快速随机访问能力和执行就地执行（XIP, eXecute In Place）功能，使得代码可以直接在Flash中运行而无需复制到RAM，大幅节省系统资源并加快启动速度。该器件具备高效的命令集架构，支持标准的CE#（Chip Enable）、OE#（Output Enable）和WE#（Write Enable）控制信号，兼容广泛的处理器接口需求。其内部集成智能算法控制器，能够自动完成编程脉冲调节、擦除验证和缺陷管理，确保数据写入的可靠性与一致性。此外，TE28F128P33T85支持按扇区（Sector）进行擦除操作，最小擦除单位为64KB，允许精细的存储管理，避免大规模擦除带来的效率损失。为了增强数据安全性，该芯片还提供硬件写保护功能，可通过特定引脚或命令序列启用，防止意外写入或恶意篡改。器件内部包含状态寄存器，可用于查询当前操作状态（如就绪/忙、编程成功与否等），便于主机系统实现异步操作监控。在电源管理方面，芯片具备多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，在系统空闲时有效降低能耗。所有关键参数均经过严格测试，并在宽温范围内保证性能稳定，适用于工业自动化、路由器、交换机、POS终端等长期运行且环境复杂的应用场景。
　　此外，TE28F128P33T85的设计充分考虑了系统的可维护性和升级便利性。它支持在线固件更新（In-System Programming, ISP），允许通过主控CPU直接对Flash进行编程操作，无需专用编程器，极大简化了产品生命周期中的维护流程。其高可靠性的存储结构结合错误检测机制（如ECC辅助支持），能够在一定程度上容忍位翻转等问题，提升系统鲁棒性。尽管StrataFlash MLC技术相较于SLC在耐久性和数据保持能力上略有折衷，但其在成本与容量之间的平衡使其成为中高端嵌入式应用的理想选择。值得注意的是，由于该器件已逐步进入停产（End-of-Life）阶段，目前主要依赖库存或二级市场供应，因此在新产品设计中建议评估替代方案以确保供应链可持续性。

TE28F128P33T85因其兼具较大存储容量、可靠的并行接口性能以及工业级工作温度范围，广泛应用于多种嵌入式系统领域。在通信基础设施中，常被用作路由器、交换机和基站设备的固件存储介质，用于存放操作系统映像、配置文件和诊断程序，支持快速启动和现场升级。在工业控制系统中，该芯片可作为PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块的非易失性存储单元，用于保存控制逻辑、历史数据和校准参数，确保断电后信息不丢失。在网络设备如防火墙、网关和DSL调制解调器中，TE28F128P33T85承担着引导代码和安全策略的存储任务，其XIP能力使得设备可以在加电后立即执行引导程序，缩短启动时间。在消费类电子方面，曾用于数字机顶盒、多媒体播放器和智能家电中，用于存储用户界面资源、应用程序代码和本地设置。此外，在医疗仪器、测试测量设备和车载信息系统中也有应用实例，特别是在需要长期稳定运行且不易频繁更换硬件的场合。由于其具备良好的抗干扰能力和温度适应性，适合部署于工厂车间、户外机柜或移动平台等复杂电磁与热环境中。随着串行Flash和eMMC等新型存储技术的发展，该器件逐渐被更小型化、更高能效的产品取代，但在一些遗留系统维护、备件替换或特定定制项目中仍具有实用价值。

MT28F128J3A-85:T85