UMK063CG560JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高功率应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效能和低损耗。
其封装形式为 TO-247,适合散热需求较高的场景,并且内置了多种保护功能以增强器件的可靠性。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:56A
导通电阻:0.012Ω
栅极电荷:80nC
功耗:300W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
UMK063CG560JT-F 的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这显著降低了功率损耗并提高了整体效率。
此外,它还具有快速开关能力,支持高频操作,同时集成有热关断和过流保护功能,进一步提升了器件的鲁棒性和使用寿命。
该芯片的高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行,而大电流承载能力则满足了高功率应用的需求。
其 TO-247 封装设计有助于优化散热性能,非常适合工业级应用场合。
该芯片广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆的牵引逆变器以及各类电机驱动系统中。
由于其出色的电气特性和可靠性,这款 MOSFET 特别适合需要高效能量转换和严格温控的场景。
UMK063CG500JT-F, IRFP260N, FDP150N06S