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UMK063CG560JT-F 发布时间 时间:2025/7/10 18:53:04 查看 阅读:15

UMK063CG560JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高功率应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效能和低损耗。
  其封装形式为 TO-247,适合散热需求较高的场景,并且内置了多种保护功能以增强器件的可靠性。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻:0.012Ω
  栅极电荷:80nC
  功耗:300W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

UMK063CG560JT-F 的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这显著降低了功率损耗并提高了整体效率。
  此外,它还具有快速开关能力,支持高频操作,同时集成有热关断和过流保护功能,进一步提升了器件的鲁棒性和使用寿命。
  该芯片的高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行,而大电流承载能力则满足了高功率应用的需求。
  其 TO-247 封装设计有助于优化散热性能,非常适合工业级应用场合。

应用

该芯片广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆的牵引逆变器以及各类电机驱动系统中。
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款 MOSFET 特别适合需要高效能量转换和严格温控的场景。

替代型号

UMK063CG500JT-F, IRFP260N, FDP150N06S

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UMK063CG560JT-F参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容56pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-3190-6