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IRFZ44EPBF 发布时间 时间:2025/6/16 19:40:03 查看 阅读:3

IRFZ44EPBF 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-220 封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中。
  该 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色,并且由于其低导通电阻特性,能够有效降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:1.75mΩ
  总功耗:169W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRFZ44EPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著减少传导损耗。
  2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用需求。
  3. 快速开关速度,适用于高频工作环境。
  4. 增强的热性能,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
  6. 提供优异的电气特性和可靠性,支持多种工业及消费类电子应用。

应用

IRFZ44EPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 各种 DC-DC 转换器电路,如降压、升压和反激式转换器。
  4. 电池保护和负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. LED 照明驱动电路。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48N, IRF540N

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IRFZ44EPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1360pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ44EPBF