时间：2025/6/11 14:29:56
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UMK063CG100DT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该芯片具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，使用时需通过栅极电压控制其导通与关断状态。其封装形式为行业标准的 TO-220 封装，具有良好的散热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：78nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间(td(on)) 48ns，关断传播时间(td(off)) 19ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化续流性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 支持高电流输出，适合大功率应用需求。
7. 提供优异的热稳定性，适应极端环境工作。
1. 开关模式电源(SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于工业自动化及家电领域。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
5. LED 照明驱动器，提供高效的电流控制。
6. 充电器设计，包括快速充电适配器。
7. 各类工业电子设备的功率管理模块。
IRFZ44N, STP40NF10, FDP15U10AN
