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MMBFJ310LT1G 发布时间 时间:2023/4/11 9:48:07 查看 阅读:537

MMBFJ310LT1G参数

目录

概述

零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):24000

零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):60000

门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):25

输入电容CISS Max (pF):5

反向最大传递电容CRSS Max (pF):2.500

沟道极性:N

封装/温度(℃):3SOT23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMBFJ310LT1G产品

MMBFJ310LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型N 通道 JFET
  • 频率-
  • 增益-
  • 电压 - 测试-
  • 额定电流60mA
  • 噪音数据-
  • 电流 - 测试-
  • 功率 - 输出-
  • 电压 - 额定25V
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBFJ310LT1GOSMMBFJ310LT1GOS-NDMMBFJ310LT1GOSTR