电容：270μF
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±5%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　介质材料：高介电常数陶瓷（Class II）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）或兼容无铅焊接的金属化端子
　　包装形式：卷带包装（-T）
　　适用安装方式：表面贴装（SMD）

HMK107SD271JA-T作为一款高性能多层陶瓷电容器，其核心优势在于实现了在小型封装内提供相对较高的电容值，这对于现代高密度PCB布局至关重要。该器件采用先进的叠层工艺与高纯度陶瓷介质材料，确保每一层介质均匀且致密，从而提升整体的电气性能和机械强度。X5R介质具有适中的温度稳定性，在-55°C到+85°C范围内电容值的变化控制在±15%以内，远优于Y5V类材料，使其适用于对电容稳定性有一定要求但又不需要COG/NPO级别精度的应用场景。
　　该电容器具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在电源去耦和噪声滤波方面表现出色，尤其适合用于为数字IC（如微处理器、FPGA、ASIC）提供稳定的局部供电。低ESR有助于减少纹波电压并提高电源效率，同时降低因电流突变引起的电压跌落风险。此外，该器件经过严格的耐久性测试，包括高温高湿偏压（HAST）、温度循环和焊接热应力测试，确保其在恶劣环境下的长期可靠性。
　　HMK107SD271JA-T支持无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准，适用于现代绿色制造流程。其金属化端子经过优化设计，增强了与焊盘之间的附着力，降低了因热膨胀系数不匹配而导致的开裂风险，尤其是在经历多次温度循环或受到机械振动时。这种结构设计显著提升了产品的抗弯曲和抗热冲击能力，减少了现场失效的概率。总体而言，HMK107SD271JA-T是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的理想选择，适用于消费类电子、通信模块和工业控制等多种应用场景。

HMK107SD271JA-T主要应用于各类需要高效电源管理的小型化电子设备中。在移动通信领域，它常被用作智能手机、平板电脑和无线模块的电源去耦电容，连接在电源引脚与地之间，用于滤除高频噪声、稳定供电电压，防止信号干扰影响系统运行。其低ESR和紧凑尺寸特别适合布设在靠近处理器或射频芯片的位置，实现局部储能和瞬态响应补偿。
　　在消费类电子产品中，如智能手表、耳机、智能家居传感器等可穿戴和物联网设备中，电路板空间极为有限，因此对元件的小型化和高集成度提出了更高要求。HMK107SD271JA-T凭借其0805封装内实现270μF的大容量，成为这些设备中DC-DC转换器输入输出滤波、LDO稳压器旁路电容的理想选择。
　　此外，该器件也广泛用于工业控制板、汽车电子模块（非引擎舱）以及医疗便携设备中，承担电源轨的平滑滤波任务。例如，在基于ARM架构的嵌入式系统中，多个此类电容常并联使用，以应对动态负载变化带来的电流波动，确保系统稳定运行。由于其良好的温度特性和可靠性，HMK107SD271JA-T也可用于环境条件较为严苛的室内工业环境中，是现代电子设计中不可或缺的基础被动元件之一。

GRM21BR60J276ME39L
　　CL21A276MEK5NFQC
　　C1608X5R0J276M