时间：2025/6/11 20:12:51
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RTR040N03FRA 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效率电源转换应用。其主要特点包括高雪崩能量能力、低栅极电荷以及出色的热性能。
该器件适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景。
型号：RTR040N03FRA
封装：TO-263
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：4mΩ（典型值，VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：40A
PD（总功耗）：140W
VGS（栅源电压）：±20V
f（工作频率）：高达 500kHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
RTR040N03FRA 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），确保了更高的效率和更低的传导损耗。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 支持高频操作，能够满足现代功率转换应用对紧凑设计的需求。
5. 良好的热性能，有助于简化散热设计并提高系统的可靠性。
6. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
RTR040N03FRA 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
6. 电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）中的辅助系统功率控制。
7. 通信电源及 UPS 系统中的功率转换模块。
RTR040N03L, IRFZ44N, FDP040AN
