时间：2025/6/26 14:47:33
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UMK063CG070DTHF 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。其封装形式为 D2PAK（TO-263），具备良好的散热性能和电气特性。
型号：UMK063CG070DTHF
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：70V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：63A
Qg（栅极电荷）：48nC
f（最大工作频率）：1MHz
Tj（结温范围）：-55℃ to +175℃
封装：D2PAK（TO-263）
UMK063CG070DTHF 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力。这种设计使其非常适合需要高效能转换的应用场景。此外，它还具备以下优点：
1. 低导通电阻（Rds(on)），从而减少传导损耗。
2. 快速开关速度，有助于提高工作效率。
3. 高额定电流 Id（63A），支持大功率应用。
4. 稳定的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠性。
5. 先进的封装技术，提供卓越的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品使用。
该器件适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 各种 DC-DC 转换器模块，例如降压、升压或反激式拓扑结构。
3. 工业电机驱动与控制电路。
4. 电动工具及家用电器中的功率管理。
5. 新能源汽车的电池管理系统（BMS）和其他车载电子系统。
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节单元。
UMK063CG070DTKF, IRF7729PBF, FDP063AN70
