IXFJ26N50P3 时间：2025/8/6 3:27:33 阅读：26

IXFJ26N50P3 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的技术设计，适用于高功率和高效率的应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：26A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω
　　栅极电荷（Qg）：67nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：200W

特性

IXFJ26N50P3 MOSFET 具有多个显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件的高耐压能力（500V）使其适用于高电压应用，如开关电源和电机驱动。
　　此外，IXFJ26N50P3 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能。该MOSFET还具有良好的热管理特性，能够在高温环境下稳定运行，延长设备的使用寿命。TO-247封装设计提供了良好的散热性能，同时便于安装和更换。
　　在可靠性方面，IXFJ26N50P3 经过严格的测试，确保在各种工作条件下都能提供稳定的性能。它具有较高的抗静电能力和过载保护功能，适用于工业自动化、电力电子变换器、不间断电源（UPS）等对可靠性要求较高的场合。

应用

IXFJ26N50P3 MOSFET 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。由于其优异的电气特性和热性能，该器件也广泛用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器和储能系统等新能源领域。
　　在消费类电子产品中，IXFJ26N50P3 可用于高功率LED照明、智能家电和变频空调等应用。其低导通电阻和高耐压特性，使其能够在高负载条件下提供稳定的性能，同时减少系统功耗和发热。此外，该MOSFET还可用于测试与测量设备、医疗电子设备以及通信基础设施，满足各种高要求的应用场景。