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LBAV70WTIG 发布时间 时间:2025/8/13 9:48:49 查看 阅读:9

LBAV70WTIG 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款双极型晶体管阵列芯片。该器件包含两个NPN晶体管,通常用于需要高增益和低噪声的模拟电路应用中。该晶体管阵列采用TSSOP封装,具有小型化和高效能的特点,适用于各种电子系统。

参数

类型:双极型晶体管(NPN)
  数量:2个
  最大集电极电流:100 mA
  最大集电极-发射极电压:30 V
  最大集电极-基极电压:30 V
  最大功耗:200 mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSSOP

特性

LBAV70WTIG 的两个NPN晶体管具有高增益特性,使其在低噪声放大器和开关电路中表现出色。该器件的低功耗设计非常适合电池供电设备。此外,TSSOP封装确保了芯片在高密度电路中的安装灵活性。晶体管之间具有良好的匹配特性,有助于提高电路的一致性和稳定性。此外,该器件具有宽温度范围,适用于各种工业和消费类应用。
  由于晶体管的高可靠性,LBAV70WTIG 也适用于需要长期稳定运行的系统。其高集成度有助于减少PCB面积,同时降低外部元件需求,从而简化电路设计。

应用

LBAV70WTIG 常用于模拟信号放大器、低噪声放大器、开关控制电路以及各种传感器接口电路。该器件在消费类电子产品、工业控制设备、通信模块和汽车电子系统中均有广泛应用。此外,该晶体管阵列也可用于音频放大器和数据采集系统中,提供高效能和稳定性的支持。

替代型号

LBAV70W, LBAV70T, LBAV70WT1G

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