型号：UMJ1H3R3MDL
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-50V
　　最大连续漏极电流（ID）：-100mA（-0.1A）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-200mA（-0.2A）
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.3Ω（典型值，@ VGS = -10V, ID = -50mA）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V 至 -2.0V（@ ID = -250μA）
　　输入电容（Ciss）：约8pF（@ VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：约1pF
　　总栅极电荷（Qg）：约2nC（@ VDS = -25V, ID = -50mA）
　　开启延迟时间（td(on)）：约5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-723（SC-88A）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

UMJ1H3R3MDL具备出色的开关性能和低静态功耗，特别适用于对空间和能效有严格要求的应用场景。其P沟道结构使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵或驱动电路即可实现有效控制，显著简化了电源路径的设计复杂度。该器件的导通电阻仅为1.3Ω，在低电流负载条件下能够有效减少功率损耗，提升电池寿命。同时，由于其具备较低的栅极电荷（Qg ≈ 2nC），在高频开关操作中表现出优异的动态响应能力，降低了开关过程中的能量消耗。器件的输入电容（Ciss）约为8pF，反向传输电容（Crss）约为1pF，这种低电容特性有助于抑制噪声耦合，提高系统的电磁兼容性（EMC）。此外，该MOSFET具有较宽的栅源电压耐受范围（±20V），增强了其在瞬态电压波动环境下的鲁棒性。
　　UMJ1H3R3MDL采用SOT-723超小型封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，极大节省了PCB布局空间，非常适合智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等紧凑型电子产品。其热阻特性经过优化，能够在有限的散热条件下维持稳定工作。该器件还通过了AEC-Q101车规级可靠性测试的部分验证，表明其在恶劣环境下的长期稳定性。制造工艺采用先进的沟槽型MOSFET技术，确保了一致的器件参数和高良率。此外，ROHM提供的详细数据手册包含完整的安全工作区（SOA）、热降额曲线和应用建议，便于工程师进行系统级可靠性评估与设计优化。

UMJ1H3R3MDL常用于各类低功率开关和电源管理电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的上电时序以节省待机功耗；在电池供电系统中作为反向电流阻断器，防止电池在待机或更换时发生倒灌现象。该器件也广泛应用于电压电平转换电路，特别是在I2C、UART等串行通信接口中实现不同电压域之间的信号匹配。此外，它可用于LED指示灯的开关控制，利用其快速响应能力和低导通压降实现高效的亮度调节。在多电源系统中，UMJ1H3R3MDL可作为理想二极管使用，替代传统肖特基二极管以降低正向压降和功耗。该器件同样适用于继电器驱动、小型电机控制以及各种模拟开关电路。由于其小型封装和良好热性能，也常见于高密度印刷电路板（PCB）设计中，如TWS耳机、智能手表、无线传感器和微型控制器单元（MCU）外围电路。工业自动化设备中的信号切换模块、测试测量仪器的通道选择电路以及消费类家电的控制面板背光驱动也是其重要应用领域。

UMJ1N3R3T14G